[发明专利]SRAM中的存储单元的检测方法

摘要

一种SRAM中的存储单元的检测方法，通过将存储单元中的第一反相器的输入端与输出端相连且与所述第二反相器的输入端相连，利用该第一反相器的输入与输出相等，第二反相器的输入与输出符合反相器的特性曲线，若两反相器匹配，在第一反相器的输入与第二反相器的输入相等的情况下，第一反相器的输出与第二反相器的输出也一定相等；进而可以得出在第一反相器的输入与第二反相器的输入相等的情况下，第一反相器的输出与第二反相器的输出若不相等，则两反相器不匹配，一定有至少一晶体管的阈值电压出现漂移。上述以存储单元为检测单元，避免了对该存储单元中的每个MOS管单独检测，减少了整个SRAM的检测量，提高了效率，成本较低且结果准确。

主权项

一种SRAM中的存储单元的检测方法，所述SRAM包括多个呈阵列排布的存储单元，所述存储单元至少包括第一反相器与第二反相器，所述第一反相器包括第一上拉PMOS管和第一下拉NMOS管，所述第二反相器包括第二上拉PMOS管和第二下拉NMOS管，其特征在于，所述第一反相器的输入端与输出端相连且与所述第二反相器的输入端相连，所述检测方法包括：开启电源电压，测试第一反相器的输出端与第二反相器的输出端的差值，若所述差值为0，则第一反相器的第一上拉PMOS管和第一下拉NMOS管的阈值电压与第二反相器的第二上拉PMOS管和第二下拉NMOS管的阈值电压匹配，若所述差值不为0，则第一反相器的第一上拉PMOS管和第一下拉NMOS管的阈值电压与第二反相器的第二上拉PMOS管和第二下拉NMOS管的阈值电压不匹配。