[发明专利]封装结构的形成方法有效
| 申请号： | 201310652375.1 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103730380B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 石明达;石磊;陶玉娟 | 申请（专利权）人： | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种封装结构的形成方法，包括提供引线框金属层；刻蚀所述引线框金属层，形成若干分立的引脚，相邻引脚之间具有开口；在引脚的表面形成第一金属凸块；在第一金属凸块的顶部和侧壁表面形成焊料层；提供半导体芯片，所述半导体芯片的表面形成有焊盘，所述焊盘上形成有第二金属凸块；将半导体芯片倒装在引脚上方，将半导体芯片上的第二金属凸块与第一金属凸块表面的焊料层焊接在一起。本发明的方法减小了封装结构占据的体积，提高了封装结构的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供引线框金属层；刻蚀所述引线框金属层，形成若干分立的引脚，相邻引脚之间具有开口；刻蚀引脚的表面，在引脚内形成凹槽，在凹槽内形成第一金属凸块，所述第一金属凸块的顶部表面高于凹槽开口的表面，且所述第一金属凸块的宽度小于凹槽的宽度；在第一金属凸块的顶部和侧壁表面形成焊料层；提供半导体芯片，所述半导体芯片的表面形成有焊盘，所述焊盘上形成有第二金属凸块；将半导体芯片倒装在引脚上方，将半导体芯片上的第二金属凸块与第一金属凸块表面的焊料层焊接在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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