[发明专利]封装结构的形成方法有效
| 申请号: | 201310652375.1 | 申请日: | 2013-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN103730380B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
| 发明(设计)人: | 石明达;石磊;陶玉娟 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
| 地址: | 226006 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 结构 形成 方法 | ||
1.一种封装结构的形成方法,其特征在于,包括:
提供引线框金属层;
刻蚀所述引线框金属层,形成若干分立的引脚,相邻引脚之间具有开口;
在引脚的表面形成第一金属凸块;
在第一金属凸块的顶部和侧壁表面形成焊料层;
提供半导体芯片,所述半导体芯片的表面形成有焊盘,所述焊盘上形成有第二金属凸块;
将半导体芯片倒装在引脚上方,将半导体芯片上的第二金属凸块与第一金属凸块表面的焊料层焊接在一起。
2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法,其特征在于,所述引脚的形成过程为:所述引线框金属层包括第一表面和与第一表面相对的第二表面,刻蚀引线框金属层的第一表面,在引线框金属层内形成若干第一开口;刻蚀引线框金属层的第二表面,在引线框金属层内形成若干第二开口,第一开口和第二开口相互贯穿,第一开口和第二开口构成开口,相邻开口之间为引脚。
3.如权利要求2所述的封装结构的形成方法,其特征在于,在形成第一开口或第二开口之前,还包括:在所述引线框金属层的第一表面形成第一图形化的掩膜层;在所述引线框金属层的第二表面形成第二图形化的掩膜层。
4.如权利要求2所述的封装结构的形成方法,其特征在于,所述第一开口的宽度小于第二开口的宽度,所述第一金属凸块位于引脚的第一表面上。
5.如权利要求1所述的封装结构的形成方法,其特征在于,刻蚀引脚的表面,在引脚内形成凹槽,在凹槽内形成第一金属凸块,所述第一金属凸块的顶部表面高于凹槽开口的表面。
6.如权利要求5所述的封装结构的形成方法,其特征在于,所述第一金属凸块的宽度小于凹槽的宽度。
7.如权利要求6所述的封装结构的形成方法,其特征在于,所述焊料层还覆盖第一金属凸块两侧的凹槽的侧壁和底部表面。
8.如权利要求6所述的封装结构的形成方法,其特征在于,所述焊料层还覆盖第一金属凸块两侧的凹槽的侧壁和底部表面、以及引脚的部分表面。
9.如权利要求7或8所述的封装结构的形成方法,其特征在于,形成所述焊料层的工艺为网板印刷。
10.如权利要求1所述的封装结构的形成方法,其特征在于,还包括:形成密封所述半导体芯片、第一金属凸块、第二金属凸块并填充满开口的塑封层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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