[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

本发明提供一种晶体管的形成方法，提供衬底并形成NMOS栅极结构、PMOS栅极结构，先通过对衬底干法刻蚀形成U形凹槽，再对所述U形凹槽进行湿法刻蚀，形成Σ形凹槽，接着在Σ形凹槽进行外延生长锗硅层以形成源区或漏区。在干法刻蚀形成U形凹槽时，将干法刻蚀分成两步，先对所述衬底进行第一干法刻蚀，再对所述衬底进行第二干法刻蚀，第二干法刻蚀采用还原性气体作为刻蚀气体，能够将第一干法刻蚀产生的刻蚀附加产物去除，并且第二干法刻蚀产生的刻蚀附加产物非常少，为后续的湿法刻蚀提供了洁净的表面，使得形成的Σ形凹槽形貌标准且表面平整，后续形成的源区或漏区形貌更佳。

主权项

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，包括PMOS区衬底和NMOS区衬底；在所述衬底的NMOS区衬底上形成NMOS栅极结构，在所述PMOS区衬底上形成PMOS栅极结构；在所述PMOS栅极结构露出的所述PMOS区衬底中形成Σ形凹槽；形成Σ形凹槽的步骤包括：对所述PMOS栅极结构露出的所述PMOS区衬底进行干法蚀刻形成U形凹槽，所述干法蚀刻包括依次进行的第一干法刻蚀以及采用还原性气体的第二干法刻蚀；对所述U形凹槽进行湿法刻蚀，以形成Σ形凹槽；在所述Σ形凹槽中形成应力层，以形成源区或漏区；其中，所述衬底采用硅衬底，所述第二干法刻蚀的步骤包括：采用氢气对所述PMOS区衬底进行等离子体刻蚀，以使得刻蚀反应产物不会附着在所述衬底表面。