[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，包括PMOS区衬底和NMOS区衬底；

在所述衬底的NMOS区衬底上形成NMOS栅极结构，在所述PMOS区衬底上形成PMOS栅极结构；

在所述PMOS栅极结构露出的所述PMOS区衬底中形成Σ形凹槽；

形成Σ形凹槽的步骤包括：

对所述PMOS栅极结构露出的所述PMOS区衬底进行干法蚀刻形成U形凹槽，所述干法蚀刻包括依次进行的第一干法刻蚀以及采用还原性气体的第二干法刻蚀；

对所述U形凹槽进行湿法刻蚀，以形成Σ形凹槽；

在所述Σ形凹槽中形成应力层，以形成源区或漏区；

其中，所述衬底采用硅衬底，所述第二干法刻蚀的步骤包括：采用氢气对所述PMOS区衬底进行等离子体刻蚀，以使得刻蚀反应产物不会附着在所述衬底表面。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述衬底采用硅衬底，所述第一干法刻蚀的步骤包括：采用包括溴化氢与氯气的混合气体对所述PMOS区衬底进行等离子体刻蚀。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，采用包括溴化氢与氯气的混合气体对所述PMOS区衬底进行等离子体刻蚀的步骤包括：刻蚀机的功率为100瓦至1000瓦，刻蚀腔体内的气压在2毫托至20毫托，溴化氢的流量在10标况毫升每分至500标况毫升每分，氯气的流量在10标况毫升每分至500标况毫升每分。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用氢气对所述PMOS区衬底进行等离子体刻蚀的步骤包括：刻蚀机的功率为100瓦至1000瓦，刻蚀腔体内的气压在2毫托至40毫托，氢气的流量在20标况毫升每分至500标况毫升每分。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述衬底采用硅衬底，所述第二干法刻蚀的步骤包括：采用氢气与氩气的混合气体对所述进行等离子体刻蚀。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，采用氢气与氩气的混合气体对所述PMOS区衬底进行等离子体刻蚀的步骤包括：刻蚀机的功率为100瓦至1000瓦，刻蚀腔体内的气压在2毫托至40毫托，氢气的流量在20标况毫升每分至500标况毫升每分，氩气的流量在500标况毫升每分以内。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一干法刻蚀的步骤包括：第一干法刻蚀对衬底的刻蚀量占干法刻蚀对衬底刻蚀的总刻蚀量的70％到90％。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二干法刻蚀的步骤包括：第二干法刻蚀对衬底的刻蚀量占干法刻蚀对衬底刻蚀的总刻蚀量的10％到30％。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，湿法刻蚀的步骤包括：采用四甲基氢氧化铵或氢氧化钾溶液对所述U形凹槽进行湿法刻蚀。