[发明专利]一种发光二极管的制造方法

摘要

本发明提供一种发光二极管的制造方法，包括步骤：1）于蓝宝石衬底表面制作发光外延结构；2）于蓝宝石衬底形成正面划道；3）完成芯片制备工艺；4）研磨减薄；5）依据所述正面划道，于蓝宝石衬底背面形成V型沟槽；6）清洗；7）于所述蓝宝石衬底背面及所述V型沟槽表面制作出反射层结构；8）对发光外延结构进行裂片。本发明交替层叠的SiO2层与Ti3O5层具有良好的反射效果；采用超薄的中间Ni层，既不降低反射率又大大提高了Ag反射层和介质叠层的粘合性能，避免了Ag反射层的脱落；交替层叠的Ni层与Ag层，沉积于V型沟槽中，裂片时会产生一定的延展以覆盖Ag反射层侧壁，可以非常好的保护Ag反射层的侧壁不被氧化，保证反射层结构的稳定性和反射率。

主权项

一种发光二极管的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一蓝宝石衬底，于所述蓝宝石衬底表面制作出具有多个发光外延单元的发光外延结构；2）依据各该发光外延单元从正面对所述蓝宝石衬底进行划片，形成多个正面划道；3）依据所述多个发光外延单元，按芯片制备工艺制备出多个LED芯片；4）采用保护腊对LED芯片进行保护，并从背面对所述蓝宝石衬底进行研磨减薄；5）保留所述保护腊，并依据所述正面划道，从所述蓝宝石衬底背面制作出多个与所述正面划道对应的V型沟槽；6）对上述所得结构进行清洗；7）于所述蓝宝石衬底背面及所述V型沟槽表面制作出反射层结构，所述反射层结构包括：包括交替层叠的SiO2层与Ti3O5层的介质叠层、结合于所述介质叠层表面的中间Ni层、结合于所述中间Ni层表面的Ag反射层、以及结合于所述Ag反射层表面的包括交替层叠的Ni层与Ag层的金属叠层，其中，所述介质叠层的底层为SiO2层，所述金属叠层的顶层为Ni层；8）依据各该发光外延单元对所述发光外延结构进行裂片。