[发明专利]一种发光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

1）提供一蓝宝石衬底，于所述蓝宝石衬底表面制作出具有多个发光外延单元的发光外延结构；

2）依据各该发光外延单元从正面对所述蓝宝石衬底进行划片，形成多个正面划道；

3）依据所述多个发光外延单元，按芯片制备工艺制备出多个LED芯片；

4）采用保护腊对LED芯片进行保护，并从背面对所述蓝宝石衬底进行研磨减薄；

5）保留所述保护腊，并依据所述正面划道，从所述蓝宝石衬底背面制作出多个与所述正面划道对应的V型沟槽；

6）对上述所得结构进行清洗；

7）于所述蓝宝石衬底背面及所述V型沟槽表面制作出反射层结构，所述反射层结构包括：包括交替层叠的SiO₂层与Ti₃O₅层的介质叠层、结合于所述介质叠层表面的中间Ni层、结合于所述中间Ni层表面的Ag反射层、以及结合于所述Ag反射层表面的包括交替层叠的Ni层与Ag层的金属叠层，其中，所述介质叠层的底层为SiO₂层，所述金属叠层的顶层为Ni层；

8）依据各该发光外延单元对所述发光外延结构进行裂片。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤8)采用裂片刀从具有反射层结构的蓝宝石衬底背面对所述发光外延结构进行裂片，以在裂片时使所述反射层结构中的金属叠层延展并覆盖所述Ag反射层的侧面。

3.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤5）采用激光切割方法、机械切割方法或干法刻蚀法制作所述V型沟槽。

4.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述V型沟槽的深宽比不大于1。

5.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述介质叠层的顶层为SiO₂层。

6.根据权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述介质叠层还包括结合于顶层的SiO₂层表面的Al₂O₃层。

7.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述介质叠层的顶层为Ti₃O₅层，且所述介质叠层还包括结合于该顶层的Ti₃O₅层表面的Al₂O₃层。

8.根据权利要求6或7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述Al₂O₃层的厚度不大于1微米。

9.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述介质叠层的总厚度不小于4.5微米，所述金属叠层的总厚度不大于100埃，所述中间Ni层的厚度不大于10埃，所述Ag反射层的厚度为500～2000埃。