[发明专利]一种强化工业硅湿法化学除杂的方法有效
| 申请号： | 201310642656.9 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103693648A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王志;胡磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 成金玉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种强化工业硅湿法化学除杂的方法，属于一种制备太阳能级高纯硅技术。该方法将工业硅与金属钙基合金加热完全共熔，冷却使硅结晶重新析出，结晶硅经酸洗后铸锭，硅锭经破碎酸洗得到高纯硅。该方法通过金属添加剂构造生成易于酸洗脱除的杂质相，强化了工业硅中杂质特别是硼、磷的去除。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 强化 工业 湿法 化学 方法 | ||
【主权项】：
一种强化工业硅湿法化学除杂的方法，其特征是：包括以下步骤：(1)工业硅破碎为粒度小于500微米颗粒，用去离子水清洗1～5次，烘干；(2)将步骤(1)得到的工业硅粉与金属钙基合金混合加热，直至完全熔化为液体，将液相熔融物冷却，使硅重结晶析出，经过破碎、酸洗、漂洗和烘干，得到重结晶硅。其中金属钙基合金与硅粉的重量比为1:10～1:100，加热熔化温度为1400～1500℃，冷却速率为1～10℃/min，酸浓度为0.1～100wt%,硅与酸的重量比为1:0.1～1:200，酸洗温度为10～100℃，酸洗时间为0.5～50小时；(3)将步骤(2)得到的重结晶硅重新熔化，快速铸锭，破碎酸洗，得到杂质浓度低的高纯硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院过程工程研究所，未经中国科学院过程工程研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310642656.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种激光相位测距电路
- 下一篇：断口机
