[发明专利]一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管有效
| 申请号： | 201310640163.1 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103811542A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 赵灵智;刘咏梅;姜如青;李仕杰 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 廖继海;邱奕才 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管，包括超晶格势垒层，所述超晶格势垒层为多个周期的薄膜层交替重叠组成，所述薄膜层由锡化物和另一掺杂的锡化物组成。通过利用新型锡的化合物及其化合物的掺杂来形成一种多周期的超晶格势垒层技术来获得较低位错密度、平滑的HEMT形貌、低的芯片方块电阻，实现高导电性能、高驱动电流与低MOS界面态密度，同时多周期的超晶格势垒层，也提高了沟道层中的二维电子气浓度或二维空穴气浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锡化物超 晶格 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管，包括单晶衬底（00）、形成于单晶衬底（00）上的缓冲层（02）、形成于缓冲层（02）上的高迁移率沟道层（03）、形成于高迁移率沟道层（03）上的超晶格势垒层（04）、形成于超晶格势垒层（04）上的窄带隙欧姆接触层（05）、形成于窄带隙欧姆接触层（05）上的源金属电极（06）和漏金属电极（07）、蚀刻所述超晶格势垒层（04）至高迁移率沟道层（03）表面形成的栅槽结构（08）、形成于栅槽结构（08）内表面的高K 栅介质（09）以及形成于高K 栅介质（09）上的栅金属电极（10），其特征在于，所述超晶格势垒层（04）为多个周期的薄膜层交替重叠组成，所述薄膜层由锡化物和另一掺杂的锡化物组成。
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