[发明专利]一种在线可调的集成光功率分配器与制备方法在审
| 申请号： | 201310633008.7 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103744196A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 胡翱翔;金兴弟 | 申请（专利权）人： | 宁波天翔通讯设备有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 315453 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于集成光学领域，涉及一种在线可调的集成光功率分配器与制备方法，包括：选择衬底材料，并在衬底材料上沉积下包层和芯层；采用刻蚀技术将设计的芯层图形刻蚀到芯层，刻蚀后芯层包括输入波导区、过渡波导区、耦合波导区以及输出波导区；沉积上包层将芯层覆盖，并在耦合波导区的上包层制作加热电阻；在加热电阻上沉积SiO2薄膜，采用刻蚀技术将设计的电极图形刻蚀到SiO2薄膜形成加热电阻的电极，完成晶圆的制备；对完成的晶圆切割成单个芯片。通过在耦合波导区上包层设立加热电阻，波导芯层材料受热光系数的影响，发生折射率的改变，从而实现光功率的不均匀分配。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 在线 可调 集成 功率 分配器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种在线可调的集成光功率分配器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：A.选择衬底材料，并在所述衬底材料上沉积下包层和芯层；B.采用刻蚀技术将设计的芯层图形刻蚀到所述芯层，其中，刻蚀后芯层包括输入波导区、过渡波导区、耦合波导区以及输出波导区；C.沉积上包层将芯层覆盖，并在所述耦合波导区的上包层制作加热电阻；D.在所述加热电阻上沉积SiO2薄膜，采用刻蚀技术将设计的电极图形刻蚀到SiO2薄膜形成加热电阻的电极，完成晶圆的制备；E.对完成的晶圆切割成单个芯片。
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