[发明专利]多层薄膜层间粘附性能表征及其试样制备方法有效
申请号: | 201310631772.0 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103674832A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 石刚;贺忻;方精训 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G01N19/04 | 分类号: | G01N19/04;G01N1/28 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种多层薄膜层间粘附性能表征方法及其试样制备方法,其包括步骤:制备检测试样,首先解理镀有待测多层薄膜的晶片和未镀膜的衬底晶片,直接获得侧壁平整光滑、无损伤的薄膜小试片和衬底小试片,随后通过试片粘结、背面开槽等步骤完成检测试样的制备;利用四点弯曲法(4PB)测试薄膜层间粘附力;利用扫描电子显微镜(SEM)观察经过4PB测试所形成的试片截面。本发明通过优化试样的制备方法和四点弯曲法的测试参数,大幅缩短了测试周期,提高了测试成功率以及测试结果的准确性和可重复性;而通过SEM直接观察经过4PB测试所形成的试样截面,可以快速地确定多层薄膜层间结合最薄弱的界面,从而为相关工艺改进指明方向。 | ||
搜索关键词: | 多层 薄膜 粘附 性能 表征 及其 试样 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多层薄膜层间粘附性能表征方法,其特征在于,包括如下步骤:提供镀有待测多层薄膜的薄膜晶片和未镀膜的衬底晶片并制备粘附性能检测试样;利用四点弯曲法测试多层薄膜层间粘附力;利用扫描电子显微镜观察经过四点弯曲法测试所形成的试片截面;通过截面观察,在电子显微镜下找出多层薄膜中粘附性能最差的界面。
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