[发明专利]等离子体刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310630208.7 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN104681406B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李俊良;杨俊 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一等离子体刻蚀方法，该方法包括执行一次或多次制程循环步骤，所述制程循环步骤包括：有偏置功率的刻蚀步骤和没有偏置功率的刻蚀步骤。通过对上述两刻蚀步骤执行时间及偏置功率大小的调整，在等离子体刻蚀结构底部粗糙度、侧壁顶部粗糙度、侧壁角度及顶部侧壁突出倒悬等问题之间取得平衡，在降低刻蚀结构底部/侧壁顶部粗糙度、消除顶部侧壁突出倒悬问题的同时，通过等离子体刻蚀过程中腔体压力及偏置功率大小的调整实现对刻蚀结构侧壁角度的控制，从而根据刻蚀结构要求，得到侧壁角度可控、侧壁及底部表面粗糙度较小的高质量等离子体刻蚀结构。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体刻蚀方法，包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底包括图形化的待刻蚀结构；执行一次或多次制程循环步骤，所述制程循环步骤包括：有偏置功率的刻蚀步骤和没有偏置功率的刻蚀步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司，未经中微半导体设备（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310630208.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：匹配电容及其制造方法
- 下一篇：离子注入装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
