[发明专利]一种太阳能电池的RF-PECVD制备方法在审
| 申请号： | 201310629742.6 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104681660A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 谭秀航 | 申请（专利权）人： | 青岛事百嘉电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C16/505;C23C16/24 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 266700 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太阳能电池的制备方法，特别是一种太阳能电池的RF-PECVD制备方法。其技术方案是：电池是在三室连续的射频等离子体增强化学气相沉积(RF—PECVD)系统中制备而成。P层微晶硅薄膜沉积工艺：硅烷浓度(SiH4/(SIH4+HZ))为l%，硼烷掺杂浓度为1%，衬底温度250℃，射频功率35W，沉积气压133Pa，气体总流量100sccm；I层微晶硅薄膜沉积工艺：硅烷浓度3%，衬底温度300℃，射频功率35W，沉积气压133Pa，气体总流量50sccm；N层非晶硅薄膜沉积工艺：硅烷浓度8%，磷烷浓度l.5%，衬底温度200℃，射频功率25W，沉积气压90Pa，气体总流量12.5sccm。用该方法制备的太阳能电池在应用中几乎不受后氧化的影响，而且效率比较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 rf pecvd 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的RF‑PECVD制备方法，其特征是：电池是在三室连续的射频等离子体增强化学气相沉积(RF—PECVD)系统中制备而成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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