[发明专利]一种太阳能电池的RF-PECVD制备方法

说明书

技术领域

本发明提供了一种太阳能电池的制备方法，特别是一种太阳能电池的RF—PECVD制备方法。

背景技术

太阳能可以说是“取之不尽，用之不竭”的能源，与煤、石油及核能相比，它具有独特的优点：一是不污染环境；二是没有地域和资源的限制；三是能源没有限制。因此，太阳能的有效利用己经成为人类的共识。目前，在太阳能光伏应用中，硅基太阳能电池的研究和开发得到了广泛的重视，占领了90%的光伏市场，是当今光伏市场的主流。但单晶硅太阳能电池制备工艺复杂，制各过程中需要消耗大量的材料，因此，受限制于单晶硅的材料价格及繁琐的电池工艺，单晶硅太阳能电池的成本价格居高不下，难以大幅度降低。

为了克服上述问题，本发明采用RF—PECVD方法制备了一种微晶硅太阳能电池，同非晶硅电池相比，微晶硅电池在应用中几乎不受后氧化的影响，而且微晶硅的光谱吸收特性与非晶硅有一定的互补性，应用于叠层电池中可以获得更高的效率。

发明内容

本发明的目的就是针对现有技术存在的缺陷，提供一种太阳能电池的制备方法。

其技术方案是：P层微晶硅薄膜沉积工艺：硅烷浓度 (SiH₄/(SIH₄+HZ))为l%，硼烷掺杂浓度为1%，衬底温度250℃，射频功率35W，沉积气压133Pa，气体总流量100sccm。I层微晶硅薄膜沉积工艺：硅烷浓度3%，衬底温度300℃，射频功率35W，沉积气压133Pa，气体总流量50sccm；N层非晶硅薄膜沉积工艺：硅烷浓度8%，磷烷浓度l.5%，衬底温度200℃，射频功率25W，沉积气压90Pa，气体总流量 12.5sccm。其特征是：电池是在三室连续的射频等离子体增强化学气相沉积(RF—PECVD)系统中制备而成。

本发明的特点是同非晶硅电池相比，微晶硅电池在应用中几乎不受后氧化的影响，而且微晶硅的光谱吸收特性与非晶硅有一定的互补性，应用于叠层电池中可以获得更高的效率。

具体实施方式

电池是在三室连续的射频等离子体增强化学气相沉积(RF—PECVD)系统中制备而成。P层微晶硅薄膜沉积工艺：硅烷浓度 (SiH₄/(SIH₄+HZ))为l%，硼烷掺杂浓度为1%，衬底温度250℃，射频功率35W，沉积气压133Pa，气体总流量100sccm，将P型窗口层厚度定在大概20nm左右；I层微晶硅薄膜沉积工艺：硅烷浓度3%，衬底温度300℃，射频功率35W，沉积气压133Pa，气体总流量50sccm，I层的厚度在1μm以上；N层非晶硅薄膜沉积工艺：硅烷浓度8%，磷烷浓度l.5%，衬底温度200℃，射频功率25W，沉积气压90Pa，气体总流量 12.5sccm，N层厚度为60nm左右。

另外，本发明创造不意味着说明书所局限，在没有脱离设计宗旨的前提下可以有所变化。