[发明专利]一种湿氧炉外精炼提纯工业硅熔体的方法无效
申请号: | 201310626562.2 | 申请日: | 2013-12-02 |
公开(公告)号: | CN103641120A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 伍继君;刘凯;马文会;谢克强;魏奎先;周阳;刘大春;杨斌;戴永年 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明公开一种湿氧炉外精炼提纯工业硅熔体的方法,将硅熔体倾倒入工业硅感应抬包中,利用感应方式对硅熔体进行加热与保温;将湿氧混合气体吹入工业硅熔体中进行精炼,将精炼后的硅熔体倒入结晶器中并扒除表面的氧化物和废渣,凝固后即可得到高纯的工业硅产品,本发明所述方法可使工业硅纯度达到99.9%以上,纯度高于工业硅1101牌号的标准,金属杂质Fe、Al和Ca分别低于0.08%、0.03%和0.005%,本方法对非金属杂质B、P的去除尤其有效,可使B、P含量降低至0.005%和0.01%以下。 | ||
搜索关键词: | 一种 湿氧炉外 精炼 提纯 工业 硅熔体 方法 | ||
【主权项】:
一种湿氧炉外精炼提纯工业硅熔体的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)将电炉中纯度98.5%以上的工业硅熔体倒入感应抬包中,控制温度在1450~1700℃;(2)将含有水蒸气的工业氧吹入步骤(1)中得到的工业硅熔体进行精炼,水蒸气体积含量为2~20%,同时充分搅拌,精炼4~8h后停止吹气,完成精炼过程;(3)将精炼后的硅熔体倒入结晶器中,扒除表面的氧化物和渣层,待凝固后即可得到高纯的工业硅产品。
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