[发明专利]一种湿氧炉外精炼提纯工业硅熔体的方法无效

专利信息
申请号: 201310626562.2 申请日: 2013-12-02
公开(公告)号: CN103641120A 公开(公告)日: 2014-03-19
发明(设计)人: 伍继君;刘凯;马文会;谢克强;魏奎先;周阳;刘大春;杨斌;戴永年 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种湿氧炉外精炼提纯工业硅熔体的方法,将硅熔体倾倒入工业硅感应抬包中,利用感应方式对硅熔体进行加热与保温;将湿氧混合气体吹入工业硅熔体中进行精炼,将精炼后的硅熔体倒入结晶器中并扒除表面的氧化物和废渣,凝固后即可得到高纯的工业硅产品,本发明所述方法可使工业硅纯度达到99.9%以上,纯度高于工业硅1101牌号的标准,金属杂质Fe、Al和Ca分别低于0.08%、0.03%和0.005%,本方法对非金属杂质B、P的去除尤其有效,可使B、P含量降低至0.005%和0.01%以下。
搜索关键词: 一种 湿氧炉外 精炼 提纯 工业 硅熔体 方法
【主权项】:
一种湿氧炉外精炼提纯工业硅熔体的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)将电炉中纯度98.5%以上的工业硅熔体倒入感应抬包中,控制温度在1450~1700℃;(2)将含有水蒸气的工业氧吹入步骤(1)中得到的工业硅熔体进行精炼,水蒸气体积含量为2~20%,同时充分搅拌,精炼4~8h后停止吹气,完成精炼过程;(3)将精炼后的硅熔体倒入结晶器中,扒除表面的氧化物和渣层,待凝固后即可得到高纯的工业硅产品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学,未经昆明理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310626562.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top