[发明专利]一种湿氧炉外精炼提纯工业硅熔体的方法无效
| 申请号： | 201310626562.2 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103641120A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 伍继君;刘凯;马文会;谢克强;魏奎先;周阳;刘大春;杨斌;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 湿氧炉外 精炼 提纯 工业 硅熔体 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种湿氧炉外精炼提纯工业硅熔体的方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）将电炉中纯度98.5%以上的工业硅熔体倒入感应抬包中，控制温度在1450～1700℃；
（2）将含有水蒸气的工业氧吹入步骤（1）中得到的工业硅熔体进行精炼，水蒸气体积含量为2～20%，同时充分搅拌，精炼4～8h后停止吹气，完成精炼过程；
（3）将精炼后的硅熔体倒入结晶器中，扒除表面的氧化物和渣层，待凝固后即可得到高纯的工业硅产品。
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