[发明专利]具有调谐的各向异性和磁矩的薄膜有效
| 申请号： | 201310625298.0 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103855298B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | V·R·印图瑞;田伟;J·芒德纳 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01F10/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种装置和方法一般被描述为表现出经调谐的各向异性和磁矩的薄膜。各实施例可形成一磁性层，该磁性层通过在被冷却至预定衬底温度的衬底上沉积材料而被调谐至预定的各向异性和磁矩。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 调谐 各向异性 薄膜 | ||
【主权项】：
一种薄膜，包括被调谐至预定的单轴各向异性并被形成在深冷衬底上的磁性层,其中所述磁性层通过利用倾斜入射角被沉积至所述深冷衬底之上，使得所述磁性层中的多个空隙沿预测行对齐，所述预测行与预定各向异性方向对准以提供沿所述预定各向异性方向的单轴各向异性并降低所述磁性层的原子迁移率。
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