[发明专利]具有调谐的各向异性和磁矩的薄膜

权利要求书

1.一种薄膜，包括被调谐至预定的单轴各向异性并被形成在深冷衬底上的磁性层,

其中所述磁性层通过利用倾斜入射角被沉积至所述深冷衬底之上，使得所述磁性层中的多个空隙沿预测行对齐，所述预测行与预定各向异性方向对准以提供沿所述预定各向异性方向的单轴各向异性并降低所述磁性层的原子迁移率。

2.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述深冷衬底温度为将近50开氏温度。

3.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述单轴各向异性被配置在预定角上。

4.如权利要求3所述的薄膜，其特征在于，所述预定角相对于所述磁性层的纵断面是不正交的。

5.如权利要求3所述的薄膜，其特征在于，所述预定角相对于所述磁性层的纵断面是正交的。

6.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述磁性层包括FeCo。

7.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述磁性层是磁阻叠层的一部分。

8.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述磁性层是固态存储器叠层的一部分。

9.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述预定的单轴各向异性在对所述磁性层进行热处理之后被维持。

10.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述磁性层中的多个空隙在对所述磁性层进行热处理之后沿预定方向对准。

11.一种设备，包括：

衬底；以及

将形成在所述衬底上的磁性层调谐至预定的单轴各向异性的装置，

其中所述将形成在所述衬底上的磁性层调谐至预定的各向异性的装置包括用于以下的装置：用于通过将所述衬底冷却至预定的深冷温度、并利用倾斜入射角将磁性层沉积在所述衬底上、使得所述磁性层中的多个空隙沿预测行对齐所述预测行与预定各向异性方向对准以提供沿所述预定各向异性方向的单轴各向异性并降低所述磁性层的原子迁移率的装置。

12.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述调谐磁性层的装置包括深冷衬底温度沉积装置。

13.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述预定的单轴各向异性在所述磁性层的热处理之后高于200Oe。

14.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述调谐磁性层的装置在所述磁性层内产生预定的应力各向异性。

15.一种方法，包括：

将衬底冷却至预定的深冷温度；以及

利用倾斜入射角将磁性层沉积在所述衬底上，使得所述磁性层中的多个空隙沿预测行对齐，所述预测行与预定各向异性方向对准以提供沿所述预定各向异性方向的单轴各向异性并降低所述磁性层的原子迁移率。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括用加热处理所述磁性层达一预定量的时间。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述预定的单轴各向异性在热处理步骤之后被维持。