[发明专利]一种散裂中子源用固体靶片及其制备方法有效
| 申请号： | 201310612833.9 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104470189B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 纪全;魏少红;张锐强;贾学军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | H05H6/00 | 分类号： | H05H6/00 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)11435 | 代理人： | 孟阿妮 |
| 地址： | 100049 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种散裂中子源用固体靶片及其制备方法，用以增强靶片中钽和钨的连接强度，提高靶片的寿命。其中，一种散裂中子源用固体靶片的制备方法，包括清洗待焊接的钨块与钽板；将所述钽板紧贴所述钨块的六个面，形成内装钨块的钽盒；密封焊接所述钽盒；将密封焊接后的钽盒放入热等静压炉内进行热等静压后取出，得到靶片。本发明提供的散裂中子源用固体靶片的制备方法不引入其它过渡金属，直接大面积扩散连接钽板与钨块，使制得的靶片中钽钨之间达到冶金结合，结合强度高，钽涂层致密，增强了靶片的抗冲刷腐蚀性能，提高了靶片寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中子源 固体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种散裂中子源用固体靶片的制备方法，其特征在于，包括：分别清洗待焊接的钨块与钽板；将所述钽板紧贴所述钨块的六个面，形成内装钨块的钽盒；密封焊接所述钽盒；将密封焊接后的钽盒放入热等静压炉内进行热等静压后取出，得到靶片；将焊接后的钽盒放入热等静压炉内进行热等静压，包括：将热等静压炉用氩气洗炉两遍，并冲入氩气；将热等静压炉加热到1500－2000度，炉内气压保持在100－200MPa，保温2－4小时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院高能物理研究所，未经中国科学院高能物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310612833.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种四层以下软硬结合板的层压结构
- 下一篇：大电流低烧蚀弧形电极
