[发明专利]一种散裂中子源用固体靶片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310612833.9 申请日: 2013-11-27
公开(公告)号: CN104470189B 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 纪全;魏少红;张锐强;贾学军 申请(专利权)人: 中国科学院高能物理研究所
主分类号: H05H6/00 分类号: H05H6/00
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)11435 代理人: 孟阿妮
地址: 100049 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 中子源 固体 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种散裂中子源用固体靶片的制备方法,其特征在于,包括:

分别清洗待焊接的钨块与钽板;

将所述钽板紧贴所述钨块的六个面,形成内装钨块的钽盒;

密封焊接所述钽盒;

将密封焊接后的钽盒放入热等静压炉内进行热等静压后取出,得到靶片;

将焊接后的钽盒放入热等静压炉内进行热等静压,包括:

将热等静压炉用氩气洗炉两遍,并冲入氩气;

将热等静压炉加热到1500-2000度,炉内气压保持在100-200MPa,保温2-4小时。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述清洗待焊接的钨块与钽板,包括:

用弱酸清洗所述待焊接的钨块与钽板的表面,清洗完后再次用丙酮超声,然后干燥。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述密封焊接所述钽盒之前,还包括:

将所述钽盒与钨块之间抽成具有预设真空度的真空。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述密封焊接所述钽盒,包括:

采用高能电子束密封焊接所述钽盒的钽板与钽板。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将焊接后的钽盒放入热等静压炉内进行热等静压之前,还包括:

在焊接后的所述钽盒的表面包裹钽箔。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将热等静压炉加热到1500度,包括:

以15度/分钟的升温速率,加热到900度;

以10度/分钟的升温速率,从900度加热到1500度。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:

所述待焊接的钨块密度为18.7g/cm3以上,且表面抛光;

所述待焊接的钽板为根据所述钨块每个面大小,加工出的0.4mm-2mm厚的高纯钽板六块。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述密封焊接所述钽盒之后,还包括:

通过氦质谱检漏仪对密封焊接后的钽盒进行检漏,确认所述钽盒密封焊接是否完整;

若密封焊接不完整,则对所述钽盒重新进行密封焊接;

若密封焊接完整,则将密封焊接后的钽盒放入热等静压炉内进行热等静压。

9.一种散裂中子源用固体靶片,其特征在于,采用如权利要求1-8任一所述的散裂中子源用固体靶片的制备方法制得。

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