[发明专利]一种散裂中子源用固体靶片及其制备方法有效
| 申请号: | 201310612833.9 | 申请日: | 2013-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN104470189B | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
| 发明(设计)人: | 纪全;魏少红;张锐强;贾学军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号: | H05H6/00 | 分类号: | H05H6/00 |
| 代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)11435 | 代理人: | 孟阿妮 |
| 地址: | 100049 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 中子源 固体 及其 制备 方法 | ||
1.一种散裂中子源用固体靶片的制备方法,其特征在于,包括:
分别清洗待焊接的钨块与钽板;
将所述钽板紧贴所述钨块的六个面,形成内装钨块的钽盒;
密封焊接所述钽盒;
将密封焊接后的钽盒放入热等静压炉内进行热等静压后取出,得到靶片;
将焊接后的钽盒放入热等静压炉内进行热等静压,包括:
将热等静压炉用氩气洗炉两遍,并冲入氩气;
将热等静压炉加热到1500-2000度,炉内气压保持在100-200MPa,保温2-4小时。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述清洗待焊接的钨块与钽板,包括:
用弱酸清洗所述待焊接的钨块与钽板的表面,清洗完后再次用丙酮超声,然后干燥。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述密封焊接所述钽盒之前,还包括:
将所述钽盒与钨块之间抽成具有预设真空度的真空。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述密封焊接所述钽盒,包括:
采用高能电子束密封焊接所述钽盒的钽板与钽板。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将焊接后的钽盒放入热等静压炉内进行热等静压之前,还包括:
在焊接后的所述钽盒的表面包裹钽箔。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将热等静压炉加热到1500度,包括:
以15度/分钟的升温速率,加热到900度;
以10度/分钟的升温速率,从900度加热到1500度。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:
所述待焊接的钨块密度为18.7g/cm3以上,且表面抛光;
所述待焊接的钽板为根据所述钨块每个面大小,加工出的0.4mm-2mm厚的高纯钽板六块。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述密封焊接所述钽盒之后,还包括:
通过氦质谱检漏仪对密封焊接后的钽盒进行检漏,确认所述钽盒密封焊接是否完整;
若密封焊接不完整,则对所述钽盒重新进行密封焊接;
若密封焊接完整,则将密封焊接后的钽盒放入热等静压炉内进行热等静压。
9.一种散裂中子源用固体靶片,其特征在于,采用如权利要求1-8任一所述的散裂中子源用固体靶片的制备方法制得。
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