[发明专利]半导体集成电路及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201310612123.6 申请日: 2013-11-27
公开(公告)号: CN103855760B 公开(公告)日: 2018-04-06
发明(设计)人: 鹿山正规 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02J50/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 申发振
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及半导体集成电路及其操作方法。本发明的目的是降低在供电小而负载电流大的情况下DC‑DC转换器停止操作的可能性。输出端子使用DC‑DC转换器的DC输出电压以便可以对外部电池充电或可以将电力供应给外部的电力接收侧系统,限流电路限制从转换器输出端子流到输出端子的供电开关晶体管的负载电流。输入电压检测电路检测输入端子的DC输入电压的电平,生成检测信号,并将检测信号供应给限流电路。在输入端子的DC输入电压处在低电平的情况下,限流电路通过将供电开关晶体管限流成小电流来控制最大电流。
搜索关键词: 半导体 集成电路 及其 操作方法
【主权项】:
一种半导体集成电路,其包含:输入端子;DC‑DC转换器;输出端子;供电开关晶体管;限流电路;以及输入电压检测电路,其中能够将通过整流和平滑RF接收信号生成的DC输入电压供应给所述输入端子,其中所述DC‑DC转换器能够由转换器输出端子根据供应给所述输入端子的所述DC输入电压生成具有所期望电压电平的DC输出电压,其中所述输出端子能够使用所述DC输出电压对外部电池充电或对外部电力接收侧系统供电,其中所述供电开关晶体管能够在所述输出端子与所述DC‑DC转换器的所述转换器输出端子之间实现电连接,其中所述限流电路限制从所述转换器输出端子流到所述输出端子的所述供电开关晶体管的负载电流,其中所述输入电压检测电路按照供应给所述输入端子的所述DC输入电压的电平的检测而生成输入电压检测信号,并将所述输入电压检测信号供应给所述限流电路,其中所述限流电路通过响应于由所述输入电压检测电路供应的所述输入电压检测信号对所述供电开关晶体管进行限流来控制最大电流的数值,其中在供应给所述输入端子的所述DC输入电压处在高电平的情况下,所述限流电路通过响应于所述输入电压检测信号将所述供电开关晶体管限流成大电流来控制最大电流的数值,其中在供应给所述输入端子的所述DC输入电压处在比所述高电平低的电平的情况下,所述限流电路通过响应于所述输入电压检测信号将所述供电开关晶体管限流成比所述大电流小的电流来控制最大电流的数值,其中所述供电开关晶体管是源极和漏极分别与所述转换器输出端子和所述输出端子耦合的P沟道MOS晶体管,其中所述供电开关晶体管的P沟道MOS晶体管的栅极受所述限流电路控制,其中所述限流电路包括控制P沟道MOS晶体管、检测电阻器、和差分放大器,其中所述控制P沟道MOS晶体管的源极和漏极分别与所述转换器输出端子和所述检测电阻器的一端耦合,所述检测电阻器的另一端与接地电位耦合,其中将基准电压、所述输入电压检测信号、和所述检测电阻器的一端的检测电压分别供应给所述差分放大器的第一反相输入端子、第二反相输入端子和非反相输入端子,其中所述P沟道MOS晶体管的栅极和所述控制P沟道MOS晶体管的栅极受所述差分放大器的输出信号控制,以及其中所述差分放大器从所述第一反相输入端子的所述基准电压和所述第二反相输入端子的所述输入电压检测信号中选择低电压电平,并且所述差分放大器的所述输出信号控制所述控制P沟道MOS晶体管的漏电流,以便非反相输入端子的检测电压与所选低电平电平匹配。
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