[发明专利]半导体集成电路及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路，其包含：

输入端子；

DC-DC转换器；

输出端子；

供电开关晶体管；

限流电路；以及

输入电压检测电路，

其中能够将通过整流和平滑RF接收信号生成的DC输入电压供应给所述输入端子，

其中所述DC-DC转换器能够由转换器输出端子根据供应给所述输入端子的所述DC输入电压生成具有所期望电压电平的DC输出电压，

其中所述输出端子能够使用所述DC输出电压对外部电池充电或对外部电力接收侧系统供电，

其中所述供电开关晶体管能够在所述输出端子与所述DC-DC转换器的所述转换器输出端子之间实现电连接，

其中所述限流电路限制从所述转换器输出端子流到所述输出端子的所述供电开关晶体管的负载电流，

其中所述输入电压检测电路按照供应给所述输入端子的所述DC输入电压的电平的检测而生成输入电压检测信号，并将所述输入电压检测信号供应给所述限流电路，

其中所述限流电路通过响应于由所述输入电压检测电路供应的所述输入电压检测信号对所述供电开关晶体管进行限流来控制最大电流的数值，

其中在供应给所述输入端子的所述DC输入电压处在高电平的情况下，所述限流电路通过响应于所述输入电压检测信号将所述供电开关晶体管限流成大电流来控制最大电流的数值，

其中在供应给所述输入端子的所述DC输入电压处在比所述高电平低的电平的情况下，所述限流电路通过响应于所述输入电压检测信号将所述供电开关晶体管限流成比所述大电流小的电流来控制最大电流的数值，

其中所述供电开关晶体管是源极和漏极分别与所述转换器输出端子和所述输出端子耦合的P沟道MOS晶体管，

其中所述供电开关晶体管的P沟道MOS晶体管的栅极受所述限流电路控制，

其中所述限流电路包括控制P沟道MOS晶体管、检测电阻器、和差分放大器，

其中所述控制P沟道MOS晶体管的源极和漏极分别与所述转换器输出端子和所述检测电阻器的一端耦合，所述检测电阻器的另一端与接地电位耦合，

其中将基准电压、所述输入电压检测信号、和所述检测电阻器的一端的检测电压分别供应给所述差分放大器的第一反相输入端子、第二反相输入端子和非反相输入端子，

其中所述P沟道MOS晶体管的栅极和所述控制P沟道MOS晶体管的栅极受所述差分放大器的输出信号控制，以及

其中所述差分放大器从所述第一反相输入端子的所述基准电压和所述第二反相输入端子的所述输入电压检测信号中选择低电压电平，并且所述差分放大器的所述输出信号控制所述控制P沟道MOS晶体管的漏电流，以便非反相输入端子的检测电压与所选低电平电平匹配。

2.按照权利要求1所述的半导体集成电路，

其中在所述第一反相输入端子的所述基准电压的电平低于所述第二反相输入端子的所述输入电压检测信号的电平的情况下，控制所述控制P沟道MOS晶体管的漏电流以便所述检测电压与所述基准电压匹配，以及

其中在所述第二反相输入端子的所述输入电压检测信号的电平低于所述第一反相输入端子的基准电压的电平的情况下，控制所述控制P沟道MOS晶体管的漏电流以便所述检测电压与所述输入电压检测信号匹配。

3.按照权利要求2所述的半导体集成电路，

其中所述限流电路进一步包括生成第一偏移电压和第二偏移电压的偏移电压电路，以及

其中将所述第一偏移电压与所述检测电压的第一和电压供应给所述差分放大器的所述非反相输入端子，将所述第二偏移电压与基准电压的第二和电压供应给所述差分放大器的所述第一反相输入端子。

4.按照权利要求3所述的半导体集成电路，

其中所述限流电路进一步包括含有电压比较放大器和比较控制晶体管的电压控制电路，

其中所述电压比较放大器的第一输入端子和第二输入端子分别与所述供电开关晶体管的所述P沟道MOS晶体管的漏极和所述控制P沟道MOS晶体管的漏极耦合，以及

其中所述电压比较放大器的输出端子与所述比较控制晶体管的控制输入端子耦合，并且所述比较控制晶体管的输出电流路径耦合在所述控制P沟道MOS晶体管的漏极与所述检测电阻器的所述一端之间。