[发明专利]掩模及其制造方法、半导体装置

摘要

一种掩模（MSK），该掩模具有衬底（SB）、有效像素形成用区域和基准用图案形成用区域。在有效像素形成用区域中配置有用于形成构成像素的像素构成部件的像素用图案（PTN1m）。在基准用图案形成用区域中配置有用于表示基准位置的基准用图案（PTN21m～PTN28m），该基准位置是本来在有效像素形成用区域中配置像素用图案（PTN1m）的位置。像素用图案（PTN1m）以比基准位置偏向有效像素形成用区域的中央侧的方式配置。

主权项

一种掩模，包括：衬底，具有主表面；有效像素形成用区域，配置在所述衬底的所述主表面上；以及基准用图案形成用区域，在所述主表面中包围所述有效像素形成用区域，在所述有效像素形成用区域中配置有多个用于形成构成像素的像素构成部件的像素用图案，在所述基准用图案形成用区域中配置有包含用于表示基准位置的基准用图案的多个非像素用图案，该基准位置是在所述有效像素形成用区域中本来配置所述像素用图案的位置，所述像素用图案以比所述基准位置偏向所述有效像素形成用区域的中央侧的方式配置，沿所述有效像素形成用区域和所述基准用图案形成用区域的边界线而相邻的一对所述像素用图案的间隔比沿所述边界线而相邻的一对所述非像素用图案的间隔短。