[发明专利]掩模及其制造方法、半导体装置有效
| 申请号: | 201310611389.9 | 申请日: | 2013-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN103839782B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
| 发明(设计)人: | 百浓宽之 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L27/146 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 李亚,穆德骏 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 及其 制造 方法 半导体 装置 | ||
1.一种掩模,包括:
衬底,具有主表面;
有效像素形成用区域,配置在所述衬底的所述主表面上;以及
基准用图案形成用区域,在所述主表面中包围所述有效像素形成用区域,
在所述有效像素形成用区域中配置有多个用于形成构成像素的像素构成部件的像素用图案,
在所述基准用图案形成用区域中配置有包含用于表示基准位置的基准用图案的多个非像素用图案,该基准位置是在所述有效像素形成用区域中本来配置所述像素用图案的位置,
所述像素用图案以比所述基准位置偏向所述有效像素形成用区域的中央侧的方式配置,
沿所述有效像素形成用区域和所述基准用图案形成用区域的边界线而相邻的一对所述像素用图案的间隔比沿所述边界线而相邻的一对所述非像素用图案的间隔短。
2.根据权利要求1所述的掩模,其中,
所述基准用图案以隔着所述有效像素形成用区域的外周线与所述像素用图案相对的方式配置,
所述基准用图案以表示所述基准位置的方式配置,该基准位置是本来配置与所述基准用图案相对的所述像素用图案的、沿着所述外周线的方向的位置。
3.根据权利要求1所述的掩模,其中,
在所述基准用图案形成用区域中,在所述基准用图案的周围与所述基准用图案隔开间隔地形成有虚设形成用图案。
4.根据权利要求2所述的掩模,其中,
所述基准用图案具有在所述主表面中将与所述外周线垂直地延伸的假想直线作为对称线而对称的平面形状。
5.一种半导体装置,包括:
半导体衬底,具有主表面;
有效像素区域,配置在所述半导体衬底的所述主表面上;以及
基准部配置区域,在所述主表面中包围所述有效像素区域,
在所述有效像素区域中配置有多个构成像素的像素构成部件,
在所述基准部配置区域中配置有包含用于表示基准位置的基准部的多个非像素构成部件,该基准位置是在所述有效像素区域中本来配置所述像素构成部件的位置,
所述像素构成部件以比所述基准位置偏向所述有效像素区域的中央侧的方式配置,
沿所述有效像素区域和所述基准部配置区域的边界线而相邻的一对像素构成部件的间隔比沿所述边界线而相邻的一对非像素构成部件的间隔短。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,
所述基准部以隔着所述有效像素区域的外周线与所述像素构成部件相对的方式配置,
所述基准部以表示所述基准位置的方式配置,该基准位置是本来配置与所述基准部相对的所述像素构成部件的、沿着所述外周线的方向的位置。
7.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,
在所述基准部配置区域中,在所述基准部的周围与所述基准部隔开间隔地形成有虚设结构。
8.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,
所述基准部具有在所述主表面中将与所述外周线垂直地延伸的假想直线作为对称线而对称的平面形状。
9.一种掩模的制造方法,包括以下工序:
准备具有主表面的衬底;
准备被描画在第一层中的第一数据,用于在所述衬底的所述主表面中形成有多个像素用图案的有效像素形成用区域中描画所述像素用图案,该像素用图案用于形成构成像素的像素构成部件;
准备被描画在与第一层不同的第二层中的第二数据,用于在所述衬底的所述主表面中包围所述有效像素形成用区域、并形成有包含基准用图案的多个非像素用图案的基准用图案形成用区域中描画所述基准用图案,该基准用图案用于表示在所述有效像素形成用区域中本来配置所述像素用图案的基准位置;
以使所述像素用图案比所述基准位置偏向所述有效像素形成用区域的中央侧且沿所述有效像素形成用区域和所述基准用图案形成用区域的边界线而相邻的一对所述像素用图案的间隔比沿所述边界线而相邻的一对所述非像素用图案的间隔短的方式,使用所述第一数据在所述有效像素形成用区域中描画所述像素用图案;以及
使用所述第二数据在所述基准用图案形成用区域中描画所述基准用图案。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310611389.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种连续研磨烘干机
- 下一篇:一种弧面玻璃抛光装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





