[发明专利]掩模及其制造方法、半导体装置有效

专利信息
申请号: 201310611389.9 申请日: 2013-11-26
公开(公告)号: CN103839782B 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 百浓宽之 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L27/146
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 李亚,穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 及其 制造 方法 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种掩模,包括:

衬底,具有主表面;

有效像素形成用区域,配置在所述衬底的所述主表面上;以及

基准用图案形成用区域,在所述主表面中包围所述有效像素形成用区域,

在所述有效像素形成用区域中配置有多个用于形成构成像素的像素构成部件的像素用图案,

在所述基准用图案形成用区域中配置有包含用于表示基准位置的基准用图案的多个非像素用图案,该基准位置是在所述有效像素形成用区域中本来配置所述像素用图案的位置,

所述像素用图案以比所述基准位置偏向所述有效像素形成用区域的中央侧的方式配置,

沿所述有效像素形成用区域和所述基准用图案形成用区域的边界线而相邻的一对所述像素用图案的间隔比沿所述边界线而相邻的一对所述非像素用图案的间隔短。

2.根据权利要求1所述的掩模,其中,

所述基准用图案以隔着所述有效像素形成用区域的外周线与所述像素用图案相对的方式配置,

所述基准用图案以表示所述基准位置的方式配置,该基准位置是本来配置与所述基准用图案相对的所述像素用图案的、沿着所述外周线的方向的位置。

3.根据权利要求1所述的掩模,其中,

在所述基准用图案形成用区域中,在所述基准用图案的周围与所述基准用图案隔开间隔地形成有虚设形成用图案。

4.根据权利要求2所述的掩模,其中,

所述基准用图案具有在所述主表面中将与所述外周线垂直地延伸的假想直线作为对称线而对称的平面形状。

5.一种半导体装置,包括:

半导体衬底,具有主表面;

有效像素区域,配置在所述半导体衬底的所述主表面上;以及

基准部配置区域,在所述主表面中包围所述有效像素区域,

在所述有效像素区域中配置有多个构成像素的像素构成部件,

在所述基准部配置区域中配置有包含用于表示基准位置的基准部的多个非像素构成部件,该基准位置是在所述有效像素区域中本来配置所述像素构成部件的位置,

所述像素构成部件以比所述基准位置偏向所述有效像素区域的中央侧的方式配置,

沿所述有效像素区域和所述基准部配置区域的边界线而相邻的一对像素构成部件的间隔比沿所述边界线而相邻的一对非像素构成部件的间隔短。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,

所述基准部以隔着所述有效像素区域的外周线与所述像素构成部件相对的方式配置,

所述基准部以表示所述基准位置的方式配置,该基准位置是本来配置与所述基准部相对的所述像素构成部件的、沿着所述外周线的方向的位置。

7.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,

在所述基准部配置区域中,在所述基准部的周围与所述基准部隔开间隔地形成有虚设结构。

8.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,

所述基准部具有在所述主表面中将与所述外周线垂直地延伸的假想直线作为对称线而对称的平面形状。

9.一种掩模的制造方法,包括以下工序:

准备具有主表面的衬底;

准备被描画在第一层中的第一数据,用于在所述衬底的所述主表面中形成有多个像素用图案的有效像素形成用区域中描画所述像素用图案,该像素用图案用于形成构成像素的像素构成部件;

准备被描画在与第一层不同的第二层中的第二数据,用于在所述衬底的所述主表面中包围所述有效像素形成用区域、并形成有包含基准用图案的多个非像素用图案的基准用图案形成用区域中描画所述基准用图案,该基准用图案用于表示在所述有效像素形成用区域中本来配置所述像素用图案的基准位置;

以使所述像素用图案比所述基准位置偏向所述有效像素形成用区域的中央侧且沿所述有效像素形成用区域和所述基准用图案形成用区域的边界线而相邻的一对所述像素用图案的间隔比沿所述边界线而相邻的一对所述非像素用图案的间隔短的方式,使用所述第一数据在所述有效像素形成用区域中描画所述像素用图案;以及

使用所述第二数据在所述基准用图案形成用区域中描画所述基准用图案。

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