[发明专利]用于制备薄膜晶体管沟道的蚀刻剂组合物和沟道制造方法

摘要

本发明公开了一种用于制备薄膜晶体管TFT沟道的蚀刻剂组合物和使用所述蚀刻剂组合物制造TFT沟道的方法。所述用于制备TFT沟道的蚀刻剂组合物包括15重量%至25重量%的过氧化氢、0.01重量%至5重量%的含氟化合物、0.1重量%至5重量%的唑化合物、0.5重量%至5重量%的在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物、0.1重量%至5重量%的磷酸盐化合物、0.1重量%至5重量%的有机酸、0.001重量%至5重量%的多元醇型表面活性剂、以及余量的水，以便通过仅一次的蚀刻过程，蚀刻源极/漏极层和n+掺杂层。

主权项

一种形成薄膜晶体管的方法，所述方法包括：在基板上形成栅极；在所述栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成活性层；在所述活性层上形成n+掺杂层；在所述n+掺杂层上形成源极/漏极层；使用蚀刻剂组合物，以流水线式一起蚀刻所述源极/漏极层和所述n+掺杂层，其中，所述蚀刻剂组合物包括：15重量％至25重量％的过氧化氢；0.01重量％至5重量％的含氟化合物；0.1重量％至5重量％的唑化合物；0.5重量％至5重量％的在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物；0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物；0.1重量％至5重量％的有机酸；0.001重量％至5重量％的多元醇型表面活性剂；以及余量的水。