[发明专利]用于制备薄膜晶体管沟道的蚀刻剂组合物和沟道制造方法

权利要求书

1.一种形成薄膜晶体管的方法，所述方法包括：

在基板上形成栅极；

在所述栅极上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成活性层；

在所述活性层上形成n+掺杂层；

在所述n+掺杂层上形成源极/漏极层；

使用蚀刻剂组合物，以流水线式一起蚀刻所述源极/漏极层和所述n+掺杂层，

其中，所述蚀刻剂组合物包括：15重量％至25重量％的过氧化氢；0.01重量％至5重量％的含氟化合物；0.1重量％至5重量％的唑化合物；0.5重量％至5重量％的在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物；0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物；0.1重量％至5重量％的有机酸；0.001重量％至5重量％的多元醇型表面活性剂；以及余量的水。

2.根据权利要求1所述的形成薄膜晶体管的方法，其中，所述源极/漏极层由含铜金属层制成。

3.根据权利要求2所述的形成薄膜晶体管的方法，其中，所述含铜金属层为铜或铜合金的单一层、包括钼层和形成在所述钼层上的铜层的铜-钼层、或包括钼合金层和形成在所述钼合金层上的铜层的铜-钼合金层。

4.根据权利要求1所述的形成薄膜晶体管的方法，其中，所述含氟化合物选自HF、NaF、NH₄F、NH₄BF₄、NH₄FHF、NaFHF、KF、KHF₂、CaF₂、AlF₃、H₂SiF₆和HBF₄中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的形成薄膜晶体管的方法，其中，所述唑化合物选自苯并三唑化合物、氨基四唑化合物、咪唑化合物、吲哚化合物、嘌呤化合物、吡唑化合物、吡啶化合物、嘧啶化合物、吡咯化合物、吡咯烷化合物、和吡咯啉化合物中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的形成薄膜晶体管的方法，其中，所述在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物选自丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、次氮基三乙酸、和肌氨酸中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的形成薄膜晶体管的方法，其中，所述磷酸盐化合物选自磷酸钠、磷酸钾、和磷酸铵中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的形成薄膜晶体管的方法，其中，所述有机酸选自乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸、甲基磺酸、戊酸、和草酸中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的形成薄膜晶体管的方法，其中，所述多元醇型表面活性剂选自甘油、三甘醇、和聚乙二醇中的至少一种。