[发明专利]制备笋形GaN纳米线的方法有效
| 申请号： | 201310608840.1 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103641081A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 李恩玲;宋莎;马德明 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 制备笋形GaN纳米线的方法，将附有Pt纳米颗粒的硅片放入清洁的石英舟内，使Si衬底相对于前躯体粉末在石英舟中的位置位于气流的下游，然后将石英舟置于电阻炉的恒温区，向炉腔内第一次通入氮气，以赶出残余的空气；然后，使电阻炉的温度升到设定温度，向炉腔内通入氨气后，在硅衬底上得到笋形GaN纳米线。本发明以Ga2O3为镓源、氨气为氮源、Pt为催化剂，用CVD法在特定的工艺条件下，在硅衬底上制备出笋形六方纤锌矿单晶GaN纳米线，其场发射增强因子为646，发光峰位于364nm，具有优良的光学和电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 gan 纳米 方法 | ||
【主权项】：
制备笋形GaN纳米线的方法，其特征在于：将附有Pt纳米颗粒的硅片放入清洁的石英舟内，使Si衬底相对于前躯体粉末在石英舟中的位置位于气流的下游，然后将石英舟置于电阻炉的恒温区，向炉腔内第一次通入氮气，以赶出残余的空气；然后，使电阻炉的温度升到设定温度，向炉腔内通入氨气后，在硅衬底上得到笋形GaN纳米线。
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