[发明专利]制备笋形GaN纳米线的方法

权利要求书

1.制备笋形GaN纳米线的方法，其特征在于：将附有Pt纳米颗粒的硅片放入清洁的石英舟内，使Si衬底相对于前躯体粉末在石英舟中的位置位于气流的下游，然后将石英舟置于电阻炉的恒温区，向炉腔内第一次通入氮气，以赶出残余的空气；然后，使电阻炉的温度升到设定温度，向炉腔内通入氨气后，在硅衬底上得到笋形GaN纳米线。

2.如权利要求1所述的制备笋形GaN纳米线的方法，其特征在于：前躯体氧化镓粉末与硅衬底的距离为1cm左右。

3.如权利要求1或2所述的制备笋形GaN纳米线的方法，其特征在于：向炉腔内通入氮气的流量为500mL/min。

4.如权利要求3所述的制备笋形GaN纳米线的方法，其特征在于：电阻炉的设定温度为1000、1050、1100℃，以10℃/min的速率升温到设定温度。

5.如权利要求4所述的制备笋形GaN纳米线的方法，其特征在于：向炉腔内分别通入氨气的流量依次为200、250、300mL/min。

6.如权利要求5所述的制备GaN纳米线的方法，其特征在于：第二次通入氮气的流量为500mL/min。

7.如权利要求6所述的制备GaN纳米线的方法，其特征在于：向炉腔内通入氨气和第二次通入氮气的时间间隔为15到25min。

8.如权利要求7所述的制备GaN纳米线的方法，其特征在于：待炉内温度降至700℃，保持30min，最后自然冷却至室温。