[发明专利]一种局部放电减弱的高压IGBT模块及其制造方法在审
| 申请号： | 201310598353.1 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103594505A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 曹琳 | 申请（专利权）人： | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 710016 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于减弱局部放电效果的高压IGBT模块的制造方法以及具有局部放电减弱行为的高压IGBT模块，通过在电绝缘衬底上下导电层之间淀积半导体氢化非晶薄膜以降低导电层与电绝缘衬底边界处电场强度，降低IGBT模块局部放电视在电荷，提高模块局部放电通过率，使得电场极大值处电场强度减弱明显，局部放电视在电荷减小，IGBT模块局部放电测试通过率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 局部 放电 减弱 高压 igbt 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种局部放电减弱的高压IGBT模块的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：（1）提供一电绝缘衬底，在所述电绝缘衬底的两个表面上分别设置导电层，使得所述电绝缘衬底的周边顶部区域不被所述的导电层覆盖，形成表面无导电物的衬底露出端；（2）在除了所述衬底露出端表面以外的其他区域设置掩膜层，沉积半导体氢化非晶薄膜层，去除所述的掩膜层及其上的半导体氢化非晶薄膜层，使得所述的衬底露出端为半导体氢化非晶薄膜层所包覆，连通两侧导电层；（3）将半导体芯片接合到一侧的导电层上，另一侧的导电层通过阻焊层接合到底板上。
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