[发明专利]一种局部放电减弱的高压IGBT模块及其制造方法在审
| 申请号： | 201310598353.1 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103594505A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 曹琳 | 申请（专利权）人： | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 710016 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 局部 放电 减弱 高压 igbt 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种局部放电减弱的高压IGBT模块的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：
（1）提供一电绝缘衬底，在所述电绝缘衬底的两个表面上分别设置导电层，使得所述电绝缘衬底的周边顶部区域不被所述的导电层覆盖，形成表面无导电物的衬底露出端；
（2）在除了所述衬底露出端表面以外的其他区域设置掩膜层，沉积半导体氢化非晶薄膜层，去除所述的掩膜层及其上的半导体氢化非晶薄膜层，使得所述的衬底露出端为半导体氢化非晶薄膜层所包覆，连通两侧导电层；
（3）将半导体芯片接合到一侧的导电层上，另一侧的导电层通过阻焊层接合到底板上。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述的半导体氢化非晶薄膜为a-Si:H、a-Ge:H、a-SiGe:H、a-SiC:H。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述的半导体氢化非晶薄膜层厚度为300nm，电导率为105Ω.cm。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述的半导体氢化非晶薄膜为a-Si:H。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述的a-Si:H薄膜层通过射频等离子体增强化学气相沉积法沉积而成。
6.一种局部放电减弱的高压IGBT模块，包括：
电绝缘衬底；
设置在所述电绝缘衬底两个表面上的导电层，所述电绝缘衬底的周边顶部区域不被所述的导电层覆盖，形成表面无导电物的衬底露出端；
接合在一侧导电层上的至少一个半导体芯片；
通过阻焊层接合在另一侧导电层上的底板；
其特征在于：所述的衬底露出端为半导体氢化非晶薄膜层所包覆，连通所述电绝缘衬底两侧的导电层。
7.根据权利要求6所述的高压IGBT模块，其特征在于：所述的半导体氢化非晶薄膜为a-Si:H、a-Ge:H、a-SiGe:H、a-SiC:H。
8.根据权利要求7所述的高压IGBT模块，其特征在于：所述的半导体氢化非晶薄膜为a-Si:H。
9.根据权利要求7所述的高压IGBT模块，其特征在于：所述的半导体氢化非晶薄膜层厚度为300nm，电导率为105Ω.cm。
10.根据权利要求6所述的高压IGBT模块，其特征在于：所述的电绝缘衬底为AlN陶瓷；所述的导电层为敷铜板；所述的底板为AlSiC。
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