[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201310597307.X | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN104465755B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 陈柏安;艾姆·迪伊姆·斯迪奇 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体元件，其中，所述半导体元件包含金属氧化物半导体场效应晶体管，其中金属氧化物半导体场效应晶体管寄生有多个硅控整流器等效电路，且金属氧化物半导体场效应晶体管更包含漏极区。漏极区包含多个相异的P型重掺杂区，其中前述P型重掺杂区各自作为硅控整流器等效电路的阳极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，包含：一金属氧化物半导体场效应晶体管，寄生有多个硅控整流器等效电路，其中所述金属氧化物半导体场效应晶体管更包含：一漏极区，包含：一N型井区；多个相异的P型重掺杂区，所述P型重掺杂区形成于所述N型井区内，其中所述P型重掺杂区各自作为所述硅控整流器等效电路的阳极；以及多个N型重掺杂区，位于所述N型井区内，并与所述P型重掺杂区横向地交替配置。
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