[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

一金属氧化物半导体场效应晶体管，寄生有多个硅控整流器等效电路，其中所述金属氧化物半导体场效应晶体管更包含：

一漏极区，包含：

一N型井区；

多个相异的P型重掺杂区，所述P型重掺杂区形成于所述N型井区内，其中所述P型重掺杂区各自作为所述硅控整流器等效电路的阳极；以及

多个N型重掺杂区，位于所述N型井区内，并与所述P型重掺杂区横向地交替配置。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，多个所述P型重掺杂区中的一者环绕所述P型重掺杂区中的另一者。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述P型重掺杂区相继且同中心地彼此环绕。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述P型重掺杂区为各自相异的环形图案化半导体区、椭圆形图案化半导体区、指形图案化半导体区或成对型图案化半导体区。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述P型重掺杂区彼此未直接连接。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述P型重掺杂区彼此通过接点电性连接。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效应晶体管更包含：

一N型缓冲区，所述P型重掺杂区以及所述N型重掺杂区形成于所述N型缓冲区内；以及

一N型漂移区，所述N型缓冲区形成于所述N型漂移区内，所述N型漂移区形成于所述N型井区内。

8.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述P型重掺杂区投影至所述金属氧化物半导体场效应晶体管的基底表面的形状呈现一岛状分布。

9.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，当所述阳极带有一正电荷的静电时，所述正电荷的静电所对应的电流通过所述硅控整流器等效电路，从所述P型重掺杂区流往一源极区。

10.一种半导体元件，其特征在于，包含：

一漏极区，包含：

一N型井区；

多个相异的P型重掺杂区，所述P型重掺杂区形成于所述N型井区内；以及

多个N型重掺杂区，位于所述N型井区内，并与所述P型重掺杂区横向地交替配置；

多个相异的图案化半导体区；以及

多个硅控整流器等效电路，寄生于所述半导体元件中，并包含多个等效PNP型晶体管以及一等效NPN型晶体管，其中所述等效PNP型晶体管对应所述相异的图案化半导体区形成，所述等效PNP型晶体管彼此电性并联且电性连接所述等效NPN型晶体管。

11.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，所述图案化半导体区为各自相异的环形图案化半导体区、椭圆形图案化半导体区、指形图案化半导体区或成对型图案化半导体区，所述图案化半导体区相继且同中心地彼此环绕。

12.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，所述图案化半导体区彼此未直接连接。

13.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，所述图案化半导体区彼此通过接点电性连接。

14.根据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，当静电放电发生时，所述等效PNP型晶体管以及所述等效NPN型晶体管形成多个电流导通路径，以导通静电放电所对应的电流。