[发明专利]调节MOS器件中的锗百分比在审
| 申请号： | 201310594148.8 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104347688A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 郭紫微;李昆穆;宋学昌;李啟弘;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及调节MOS器件中的锗百分比的技术。本发明的集成电路结构包括：位于半导体衬底上方的栅极堆叠件，以及延伸到半导体衬底内的开口，其中开口邻近栅极堆叠件。第一硅锗区域设置在开口中，其中，第一硅锗区域具有第一锗百分比。第二硅锗区域覆盖第一硅锗区域，其中，第二硅锗区域具有大于第一锗百分比的第二锗百分比。金属硅化物区域位于第二硅锗区域上方并与第二硅锗区域接触。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 mos 器件 中的 百分比 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：半导体衬底；栅极堆叠件，位于所述半导体衬底上方；开口，延伸到所述半导体衬底内，其中，所述开口邻近所述栅极堆叠件；第一硅锗区域，位于所述开口中，所述第一硅锗区域具有第一锗百分比；第二硅锗区域，位于所述第一硅锗区域上方，所述第二硅锗区域具有大于所述第一锗百分比的第二锗百分比；以及金属硅化物区域，位于所述第二硅锗区域上方且与所述第二硅锗区域接触。
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