[发明专利]调节MOS器件中的锗百分比在审
申请号: | 201310594148.8 | 申请日: | 2013-11-21 |
公开(公告)号: | CN104347688A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 郭紫微;李昆穆;宋学昌;李啟弘;李资良 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L21/28 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调节 mos 器件 中的 百分比 | ||
1.一种集成电路结构,包括:
半导体衬底;
栅极堆叠件,位于所述半导体衬底上方;
开口,延伸到所述半导体衬底内,其中,所述开口邻近所述栅极堆叠件;
第一硅锗区域,位于所述开口中,所述第一硅锗区域具有第一锗百分比;
第二硅锗区域,位于所述第一硅锗区域上方,所述第二硅锗区域具有大于所述第一锗百分比的第二锗百分比;以及
金属硅化物区域,位于所述第二硅锗区域上方且与所述第二硅锗区域接触。
2.根据权利要求1所述的集成电路结构,还包括:
基本上不含锗的硅帽,位于所述第二硅锗区域上方,其中,所述金属硅化物区域穿透所述硅帽。
3.根据权利要求2所述的集成电路结构,其中,所述第二硅锗区域具有第一厚度,并且所述硅帽具有大于所述第一厚度的第二厚度。
4.根据权利要求1所述的集成电路结构,其中,所述第二硅锗区域包括下部,其中,所述下部的顶面与所述金属硅化物区域的底面接触,并且所述下部的底面与所述第一硅锗区域的顶面接触。
5.根据权利要求4所述的集成电路结构,其中,所述第二硅锗区域还包括:位于所述下部上方的上部,并且所述第二硅锗区域的上部位于所述金属硅化物区域的侧面并与所述金属硅化物区域平齐。
6.根据权利要求1所述的集成电路结构,其中,在所述第一硅锗区域和所述第二硅锗区域之间的界面处,锗百分比骤然改变。
7.根据权利要求1所述的集成电路结构,其中,所述第二锗百分比比所述第一锗百分比高出约5%。
8.一种集成电路结构,包括:
半导体衬底;
栅极堆叠件,位于所述半导体衬底上方,所述栅极堆叠件包括在金属氧化物半导体(MOS)器件中;
所述MOS器件的源极/漏极区域,延伸到所述半导体衬底内,所述源极/漏极区域包括:
第一硅锗区域,其中,所述第一硅锗区域具有第一锗百分比;和
第二硅锗区域,位于所述第一硅锗区域上方,所述第二硅锗区域具有大于所述第一锗百分比的第二锗百分比;
硅帽,位于所述第二硅锗区域上方且与所述第二硅锗区域接触;以及
金属硅化物区域,穿透所述硅帽以与所述第二硅锗区域接触。
9.根据权利要求8所述的集成电路结构,其中,所述第二锗百分比比所述第一锗百分比高出约5%。
10.一种方法,包括:
在半导体衬底上方形成栅极堆叠件;
形成延伸到所述半导体衬底内的开口,其中,所述开口位于所述栅极堆叠的侧边;
实施第一外延以在所述开口中生长第一硅锗区域,其中,所述第一硅锗区域具有第一锗百分比;
实施第二外延以在所述第一硅锗区域上方生长第二硅锗区域,其中,所述第二硅锗区域具有大于所述第一锗百分比的第二锗百分比;以及
在所述第二硅锗区域上方形成基本上不含锗的硅帽,所述硅帽与所述第二硅锗区域接触。
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