[发明专利]一种功率MOS器件的金属成膜方法在审
| 申请号： | 201310589807.9 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104658910A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 王东;李文军;季芝慧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种功率MOS器件的金属成膜方法。本发明提供的一种沉积键合金属层的新方法，改变了以往表层金属只沉积铝铜或铝硅铜一种金属膜的结构，通过先沉积铝硅铜再沉积铝铜的两层金属膜结构，防止了spike（穿刺）和提高了键合性能，改善了器件的电性能和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mos 器件 金属 方法 | ||
【主权项】：
一种功率MOS器件的金属成膜方法，其特征在于，主要包含以下步骤：（1）第一层金属层铝硅铜的形成；（2）第二层金属层铝铜的形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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