[发明专利]一种功率MOS器件的金属成膜方法在审

专利信息
申请号: 201310589807.9 申请日: 2013-11-20
公开(公告)号: CN104658910A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 王东;李文军;季芝慧 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 王函
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种功率MOS器件的金属成膜方法。本发明提供的一种沉积键合金属层的新方法,改变了以往表层金属只沉积铝铜或铝硅铜一种金属膜的结构,通过先沉积铝硅铜再沉积铝铜的两层金属膜结构,防止了spike(穿刺)和提高了键合性能,改善了器件的电性能和使用寿命。
搜索关键词: 一种 功率 mos 器件 金属 方法
【主权项】:
一种功率MOS器件的金属成膜方法,其特征在于,主要包含以下步骤:(1)第一层金属层铝硅铜的形成;(2)第二层金属层铝铜的形成。
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