[发明专利]一种全隔离背照式图像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201310586603.X | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104659040A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 刘华明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种全隔离背照式图像传感器结构，由上至下依次包括：承载基片、后道膜层、外延后的器件硅基、埋入氧化层、滤光片和微透镜；所有器件制造在埋入氧化层上的器件硅基上；该图像传感器感光单元的隔离采用沟槽隔离，并且填充绝缘介质的沟槽与埋入氧化层直接连接，将感光单元有源区彼此完全隔离；所述器件硅基上形成有光电二极管，光电二级管的接地通过正表面的浓掺杂区引出。此外，本发明还公开了该全隔离背照式图像传感器的制造方法。本发明解决了现有工艺易发生的混色(cross talk)问题；埋入氧化层简化了BSI（背照式CMOS）背面工艺的复杂度，对器件进行了无损保护，避免了背面薄化均匀性不好，量子效率不一致等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 背照式 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种全隔离背照式图像传感器结构，其特征在于：由上至下依次包括：承载基片、后道膜层、外延后的器件硅基、埋入氧化层、滤光片和微透镜；所有器件制造在埋入氧化层上的器件硅基上；该图像传感器感光单元的隔离采用沟槽隔离，并且填充绝缘介质的沟槽与埋入氧化层直接连接，将感光单元有源区彼此完全隔离；所述器件硅基上形成有光电二极管，光电二级管的接地通过正表面的浓掺杂区引出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司;，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310586603.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
