[发明专利]应变结构及其制作方法有效
申请号: | 201310583275.8 | 申请日: | 2013-11-19 |
公开(公告)号: | CN103560157A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 狄增峰;母志强;郭庆磊;叶林;陈达;张苗;王曦 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种应变结构及其制作方法,该方法至少包括以下步骤:S1:提供一衬底,在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层;S2:将所述第一应力层图形化,形成桥状结构;所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁;S3:在一对所述基座表面形成第二应力层;S4:采用湿法腐蚀去除所述桥梁下方及所述基座相向两端下方的牺牲层,以使所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空,该悬空的两端卷曲使所述桥梁拉伸,得到应变结构。本发明可以给一定范围内的任意材料施加高张应力,方法简单有效、与半导体工艺兼容,具有成本低,且制作速度快的优点。 | ||
搜索关键词: | 应变 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种应变结构的制作方法,其特征在于,至少包括以下步骤:S1:提供一衬底,在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层;S2:将所述第一应力层图形化,形成桥状结构;所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁;S3:在一对所述基座表面形成第二应力层;S4:采用湿法腐蚀去除所述桥梁下方及所述基座相向两端下方的牺牲层,以使所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空,该悬空的两端卷曲使所述桥梁拉伸,得到应变结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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