[发明专利]应变结构及其制作方法

权利要求书

1.一种应变结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层；

S2：将所述第一应力层图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁；

S3：在一对所述基座表面形成第二应力层；

S4：采用湿法腐蚀去除所述桥梁下方及所述基座相向两端下方的牺牲层，以使所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空，该悬空的两端卷曲使所述桥梁拉伸，得到应变结构。

2.根据权利要求1所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述第二应力层具有张应力，一对所述基座悬空的两端向上卷曲。

3.根据权利要求1所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述第二应力层具有压应力，一对所述基座悬空的两端向下卷曲。

4.根据权利要求1所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述第一应力层的材料为金属、氧化物或半导体；所述第二应力层的材料包括金属、氧化物及半导体中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述第二应力层为单层或复合层结构。

6.根据权利要求4所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述第一应力层的材料为金属Ti、Cr、Pt、Au、Ag、Pd、Fe，或氧化物Al₂O₃、ZnO、Si₃N₄、SiO、SiO₂，或半导体Si、Ge、Ⅲ-Ⅴ族化合物、Si_xGe_1-x，其中0<x<1；所述第二应力层的材料包括金属Ti、Cr、Pt、Au、Ag、Pd、Fe、Co、Ni，或氧化物Al₂O₃、ZnO、Si₃N₄、SiO、SiO₂，或半导体Si、Ge、Ⅲ-Ⅴ族化合物、Si_xGe_1-x中的一种或多种，其中0<x<1。

7.根据权利要求1、4、5或6所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述第一应力层与所述第二应力层的材料不同。

8.根据权利要求1所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述桥梁为纳米线、微米线或纳米薄膜。

9.根据权利要求1所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述基座为方形、矩形、梯形、圆形或椭圆形。

10.根据权利要求1所述的应变结构的制作方法，其特征在于：所述牺牲层的材料选自SiO₂、Si₃N₄、Ge、光刻胶、PDMS及PMMA中的一种，且所述牺牲层与所述第一应力层及第二应力层采用不同的材料。

11.一种应变结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层；

S2：在所述第一应力层表面形成第二应力层，并将所述第二应力层图形化，形成一对基板；

S3：将所述第一应力层图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁；所述基座位于所述基板下方且与所述基板重合或部分重合；

S4：采用湿法腐蚀去除所述桥梁下方及所述基座相向两端下方的牺牲层，以使所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空，该悬空的两端卷曲使所述桥梁拉伸，得到应变结构。

12.一种应变结构，包括：

衬底；

形成于所述衬底表面的牺牲层；

图形化的第一应力层，形成于所述牺牲层表面；该图形化的第一应力层为桥状结构；所述桥状结构包括一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁；

形成于所述基座表面的第二应力层；

其特征在于：

所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空，且该悬空的两端卷曲，所述桥梁呈拉伸状态。

13.根据权利要求12所述的应变结构，其特征在于：一对所述基座悬空的两端向上卷曲或向下卷曲。