[发明专利]一种二硫化钼-硒化镉量子点混合场效应光晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201310580317.2 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103681837A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 林时胜;李文渊;张金石 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的二硫化钼-硒化镉量子点混合场效应光晶体管自下而上依次有Si层和SiO2层的Si/SiO2复合晶片、n层二硫化钼层，n=1-4、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极、在两块金电极之间有CdSe量子点层，CdSe量子点层中的CdSe量子点的直径为3-8nm。其制造步骤包括：将用胶带从二硫化钼晶体上剥离的二硫化钼层黏贴到清洗干净的Si/SiO2复合晶片上；在二硫化钼层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用电子束曝光法在涂层上刻蚀出金电极；用电子束蒸发方法在电极上依次沉积Ni和Au作为源极和漏极，制备CdSe量子点溶液；将CdSe量子点溶液涂覆到二块金电极之间的二硫化钼层上。本发明为场效应光晶体管提供了一种新品种。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 硒化镉 量子 混合 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种二硫化钼‑硒化镉量子点混合场效应光晶体管，其特征在于自下而上依次有Si层（1）和SiO2层（2）的Si/SiO2复合晶片、n层二硫化钼层（3），n=1‑4、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极（4）、在两块金电极（4）之间有CdSe量子点层（5），CdSe量子点层（5）中的CdSe量子点的直径为3‑8nm。
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