[发明专利]具有改良栅极的高电子迁移率晶体管

摘要

本发明涉及一种具有改良栅极的高电子迁移率晶体管，用于高功率的切换和放大。在制造一个高电荷迁移率晶体管以及包含该晶体管的微波集成电路和交换电路时，采用镍铬合金或镍钨合金作为第一栅极层的材料，以钝化在沉积栅极之前抽真空的步骤中，无法去除并已吸附和扩散到复合外延通道层表面上的氧或水的分子，从而达到增强一个高电荷迁移率晶体管及其所制成的微波集成电路和交换电路的功能及稳定性。

主权项

一种具有改良栅极的高电子迁移率晶体管，用于高功率的切换和放大，其特征在于：所述高电子迁移率晶体管(100)，有一个衬底(110)，一个复合外延通道层(120)，一个突出层(120LL，120LR)，一个源极接触(130)，一个漏极接触(140)，定出一个通道区(150)，有一个通道区长轴(150A)，一个通道区宽(150W)，一个通道区长(150L)和一个栅极(160)，有一个栅极长(160L)，一个栅极宽(160W)和一个栅极搭线区(160P)，形成一个到该通道区(150)的整流或肖特基接触；其中该栅极(160)有一个用于形成该肖特基接触的具有第一栅极层厚度(161T)的第一栅极层(161)，一个用于增强附着力的具有第二栅极层厚度(162T)的第二栅极层(162)，和一个具有第三栅极层厚度(163T)的第三栅极层(163)，用以减低该栅极(160)沿着栅极宽度(160W)方向或通道长轴(150A)方向的电阻，该源极接触(130)和漏极接触(140)之间的电阻由加到该栅极(160)和源极接触(130)之间的电压来调制；所述第一栅极层(161)由真空沉积方法所制成，其材料为镍铬合金NixCr1‑x或镍钨合金NiyW1‑y，其中x＜0.4，y＜0.3；所述复合外延通道层(120)含有一个缓冲层(120B)、一个通道层(120C)、一个肖特基层(120S)、一个源极欧姆接触层(120OMS)、一个漏极欧姆接触层(120OMD)，该第一栅极层(161)可钝化已吸附和扩散到该复合外延通道层(120)表面的氧或水分子对栅极(160)的作用，从而达到增强晶体管稳定性的作用。