[发明专利]制造半导体器件的方法及半导体器件

摘要

本发明提供一种制造半导体器件的方法及半导体器件。目的在于通过在相同衬底上形成非易失性存储器和MOSFET时防止栅极电极中晶粒尺寸增大来提供一种具有改进可靠性的半导体器件。可以通过分别从相同层的薄膜形成非易失性存储器的控制栅极电极与其它MOSFET的栅极电极，并且从两个多晶硅薄膜层的堆叠配置控制栅极电极和栅极电极中的每个来实现该目的。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括步骤：（a1）提供半导体衬底，在所述半导体衬底的主表面之上具有第一区域、第二区域和第三区域；（b1）在所述半导体衬底的所述主表面之上相继堆叠第一绝缘薄膜、第一多晶硅薄膜和第二多晶硅薄膜；（c1）处理所述第一区域中的所述第一多晶硅薄膜和所述第二多晶硅薄膜以形成包括所述第一多晶硅薄膜和所述第二多晶硅薄膜的选择性栅极电极；（d1）经由通过相继堆叠第二绝缘薄膜和电荷存储薄膜形成的第三绝缘薄膜形成与所述选择性栅极电极的侧壁以及所述半导体衬底的所述主表面相邻的存储器栅极电极；（e1）在所述步骤（d1）之后，在所述第二区域和所述第三区域中从所述第二多晶硅薄膜上方向所述第二多晶硅薄膜注入第一传导性类型的杂质；（f1）在所述第二区域和所述第三区域中处理所述第二多晶硅薄膜和所述第一多晶硅薄膜，以在所述第二区域和所述第三区域中形成均包括所述第一多晶硅薄膜和所述第二多晶硅薄膜的第一栅极电极和第二栅极电极；以及（g1）形成包括所述选择性栅极电极、所述存储器栅极电极和所述第三绝缘薄膜的非易失性存储器，形成包括所述第一栅极电极的所述第一传导性类型的第一场效应晶体管，以及形成所述第一传导性类型的第二场效应晶体管，所述第二场效应晶体管包括所述第二栅极电极并且具有比所述第一场效应晶体管的驱动电压低的驱动电压。