[发明专利]在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的方法、晶体硅电池的制备方法及晶体硅电池

摘要

本发明公开了一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的方法、晶体硅电池的制备方法及晶体硅电池。一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的方法，其中，该方法包括通过水蒸汽与所述硅基材表面的硅材料反应形成二氧化硅薄膜。通过采用水蒸汽与硅基材表面的硅材料反应制备二氧化硅薄膜，其反应速率快，产物无污染。此外，二者反应产物中的部分氢还能扩散至硅基材内部。这些氢能够与硅基材表面的悬挂键结合，或者与硅基材内部的缺陷、杂质结合，从而起到钝化晶界、缺陷或杂质的作用。在此基础上，应用本发明所提供的方法，能够有效提高二氧化硅薄膜的制备效率，还能够有效改善硅基材的光电性能。

主权项

一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括通过水蒸汽与所述硅基材表面的硅材料反应形成所述二氧化硅薄膜。