[发明专利]在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的方法、晶体硅电池的制备方法及晶体硅电池有效
| 申请号： | 201310573983.3 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103594556A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 张伟 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基材 表面 形成 二氧化硅 薄膜 方法 晶体 电池 制备 | ||
1.一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括通过水蒸汽与所述硅基材表面的硅材料反应形成所述二氧化硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述水蒸汽是由向所述硅基材表面通入的氧气和氢气反应形成。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧气和氢气的摩尔比为2:1～1:3，优选为1:2～1:3；更有选地，所述氧气和氢气的流量比为1:1～1:3。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述氢气通过保护气体的携带通向所述硅基材表面，优选地，所述氢气与所述保护气体的摩尔比为1:15～1:50，更优选地，所述保护气为氮气或氩气。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述水蒸汽与所述硅材料的反应温度为950～1000℃，反应时间为10～20min。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅薄膜的密度为2.15g/cm3～2.3g/cm3。
7.一种晶体硅电池的制备方法，包括在硅片表面形成二氧化硅薄膜的步骤，其特征在于，形成所述二氧化硅薄膜的步骤采用权利要求1至6中任一项所述的方法。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，还包括对所述硅片表面依次进行制绒、扩散以及湿法刻蚀的步骤，所述二氧化硅薄膜形成在完成所述湿法刻蚀后的硅片表面。
9.一种晶体硅电池，其特征在于，所述晶体硅电池由权利要求7或8所述的方法制备而成。
10.根据权利要求9所述的晶体硅电池，其特征在于，所述晶体硅电池中硅片表面二氧化硅薄膜的厚度为5nm～20nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
