[发明专利]光电转换元件以及太阳能电池无效
| 申请号： | 201310573105.1 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103840027A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 平贺广贵;芝崎聪一郎;中川直之;山崎六月;山本和重;樱田新哉;稻叶道彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L31/0749 | 分类号： | H01L31/0749;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘瑞东;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供高效率的光电转换元件以及太阳能电池，其中通过在黄铜矿系太阳能电池的透明电极与n层之间设置氧化物层，能够得到使透明电极制作时的损伤减低的效果。由此能够使复合中心减少并提高效率。实施方式的光电转换元件，其特征在于，具备：具有黄铜矿构造的p型光吸收层；在p型光吸收层上形成的n型半导体层；在n型半导体层上形成的氧化物层；和在氧化物层上形成的透明电极。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 以及 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种光电转换元件，其中，具备：具有黄铜矿构造的p型光吸收层；在所述p型光吸收层上形成的n型半导体层；在所述n型半导体层上的氧化物层；和在所述氧化物层上的透明电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
