[发明专利]光电转换元件以及太阳能电池无效
申请号: | 201310573105.1 | 申请日: | 2013-11-15 |
公开(公告)号: | CN103840027A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 平贺广贵;芝崎聪一郎;中川直之;山崎六月;山本和重;樱田新哉;稻叶道彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L31/0749 | 分类号: | H01L31/0749;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘瑞东;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 以及 太阳能电池 | ||
1.一种光电转换元件,其中,具备:
具有黄铜矿构造的p型光吸收层;
在所述p型光吸收层上形成的n型半导体层;
在所述n型半导体层上的氧化物层;和
在所述氧化物层上的透明电极。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,
所述氧化物层和所述透明电极的结晶性不同,具有结晶不连续面。
3.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,
所述氧化物层中含有有机物。
4.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,
所述氧化物层含有平均一次粒径在1nm以上且40nm以下的氧化物微粒,
所述氧化物为包含锌、钛、铟和镁中的任意1种以上的元素的氧化物。
5.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,
所述n型半导体层是将所述p型光吸收层n型化而成的层。
6.一种太阳能电池,其特征在于,使用光电转换元件,
所述光电转换元件具备:
具有黄铜矿构造的p型光吸收层;
在所述p型光吸收层上形成的n型半导体层;
在所述n型半导体层上的氧化物层;和
在所述氧化物层上的透明电极。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,
所述氧化物层和所述透明电极的结晶性不同,具有结晶不连续面。
8.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,
所述氧化物层中含有有机物。
9.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,
所述氧化物层含有平均一次粒径在1nm以上且40nm以下的氧化物微粒,
所述氧化物为包含锌、钛、铟和镁中的任意1种以上的元素的氧化物。
10.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,
所述n型半导体层为将所述p型光吸收层n型化而成的层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的