[发明专利]氮化镓系发光二极管及制备方法无效
| 申请号： | 201310566095.9 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103579425A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 马平;刘波亭;甄爱功;郭仕宽;纪攀峰;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氮化镓系发光二极管及制备方法，其中氮化镓系发光二极管包括：一衬底：一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层，该缓冲层制作在成核层上；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层上面的一侧有一台面；一活性发光层，该活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层台面以外的部分表面；一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层上，其下表面与铝铟镓氮薄层接触；一p型接触层，该p型接触层生长在p型电子阻挡层上；一负电极，该负电极制作在n型接触层一侧的台面上；一正电极，该正电极制作在p型接触层上。本发明可以减少施主基能团的引入，提高镁的掺杂效率，从而增加p型氮化镓的空穴浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓系发光二极管，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层，该缓冲层制作在成核层上；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层上面的一侧有一台面；一活性发光层，该活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层台面以外的部分表面；一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层上，其下表面与铝铟镓氮薄层接触；一p型接触层，该p型接触层生长在p型电子阻挡层上；一负电极，该负电极制作在n型接触层一侧的台面上；一正电极，该正电极制作在p型接触层上。
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