[发明专利]氮化镓系发光二极管及制备方法

权利要求书

1.一种氮化镓系发光二极管，其包括：

一衬底；

一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；

一缓冲层，该缓冲层制作在成核层上；

一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层上面的一侧有一台面；

一活性发光层，该活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层台面以外的部分表面；

一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层上，其下表面与铝铟镓氮薄层接触；

一p型接触层，该p型接触层生长在p型电子阻挡层上；

一负电极，该负电极制作在n型接触层一侧的台面上；

一正电极，该正电极制作在p型接触层上。

2.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其中该n型接触层的材料为n型氮化镓。

3.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其中所述活性发光层是铟镓氮薄层和铝铟镓氮薄层交互层叠形成的多周期的量子阱结构，周期数为5-20。

4.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其中该p型电子阻挡层的材料为铝铟镓氮。

5.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其中该p型接触层的材料为p型氮化镓，厚度为50-300纳米。

6.一种氮化镓系发光二极管的制备方法，其包括如下步骤：

步骤1：在一衬底上依次生长氮化镓成核层、缓冲层和n型接触层，该n型接触层的材料为n型氮化镓；

步骤2：在n型接触层的表面生长一活性发光层，该活性发光层是铟镓氮薄层和铝铟镓氮薄层交互层叠形成的多周期的量子阱结构，周期数为5-20；

步骤3：在活性发光层上生长p型电子阻挡层和p型接触层，该p型电子阻挡层的材料为铝铟镓氮，该p型接触层的材料为p型氮化镓；

步骤4：采用刻蚀的方法，从外延层表面一直刻蚀到n型接触层，并在n型接触层上面的一侧形成一台面；

步骤5：在n型接触层一侧的台面上制作一负电极；

步骤6：在p型接触层上制作一正电极，完成制备。

7.如权利要求7所述的氮化镓系发光二极管的制备方法，其中该p型接触层的材料为p型氮化镓厚度为50-300纳米。

8.如权利要求7所述的氮化镓系发光二极管的制备方法，其中该p型接触层在脉冲、富氮的条件下生长，该生长是采用镓源的脉冲式通、断来实现，其间氨气始终通入关闭镓源的时间为5-360秒，开启镓源的时间为5-360秒，所述p型接触层以H₂或H₂与N₂的混合气体作载气。

9.如权利要求8所述的氮化镓系发光二极管的制备方法，其中镓源关闭的时间内通入镁源，镓源开启的时间通入镁源或不通入镁源。

10.如权利要求7所述的氮化镓系发光二极管的制备方法，其中p型接触层的生长温度为800-1100℃，生长压力为50-760torr。