[发明专利]闪存存储单元及其制备方法

摘要

本发明提供一种闪存存储单元及其制备方法，本发明巧妙的利用偶数个侧墙结构作为阻挡层，使位于其下的浮栅材料层形成偶数个且宽度相等的凸起结构，而后保留此凸起结构，并在所述浮栅材料层上制备闪存存储单元。本发明中的具有偶数个凸起结构的浮栅的轮廓，有利于增大浮栅及控制栅的接触面积，以提高栅耦合系数，从而提高闪存存储器的额定漏电流及擦除速度。

主权项

一种闪存存储单元的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1）提供一自下而上依次形成有隧穿氧化材料层、浮栅材料层、第一硬掩膜、第二硬掩膜及光刻胶的半导体衬底，去除部分所述光刻胶直至暴露所述第二硬掩膜，以形成包括至少一个条状结构的光刻胶；2）以所述光刻胶为阻挡层，依次刻蚀所述第二硬掩膜及第一硬掩膜，而后去除所述第二硬掩膜，以形成包括至少一个条状结构的第一硬掩膜；3）在所述条状结构的第一硬掩膜两侧形成侧墙结构，而后去除所述第一硬掩膜并保留所述侧墙结构，以使所述浮栅材料层上形成有偶数个侧墙结构；4）以所述侧墙结构为阻挡层刻蚀部分所述浮栅材料层至第一深度，而后去除所述侧墙结构，以形成具有偶数个凸起结构的浮栅材料层；5）在所述浮栅材料层上自下而上依次形成第一硬掩膜及光刻胶，制备隔离结构将所述半导体衬底隔离出有源区，去除部分所述隔离结构直至暴露具有偶数个凸起结构的浮栅，而后去除所述第一硬掩膜，其中，所述有源区表面自下而上依次形成有隧穿氧化层、具有偶数个凸起结构的浮栅及第一硬掩膜；6）在所述步骤5）获得的结构表面形成阻挡氧化层及控制栅。