[发明专利]闪存存储单元及其制备方法

权利要求书

1.一种闪存存储单元的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：

1）提供一自下而上依次形成有隧穿氧化材料层、浮栅材料层、第一硬掩膜、第二硬掩膜及光刻胶的半导体衬底，去除部分所述光刻胶直至暴露所述第二硬掩膜，以形成包括至少一个条状结构的光刻胶；

2）以所述光刻胶为阻挡层，依次刻蚀所述第二硬掩膜及第一硬掩膜，而后去除所述第二硬掩膜，以形成包括至少一个条状结构的第一硬掩膜；

3）在所述条状结构的第一硬掩膜两侧形成侧墙结构，而后去除所述第一硬掩膜并保留所述侧墙结构，以使所述浮栅材料层上形成有偶数个侧墙结构；

4）以所述侧墙结构为阻挡层刻蚀部分所述浮栅材料层至第一深度，而后去除所述侧墙结构，以形成具有偶数个凸起结构的浮栅材料层；

5）在所述浮栅材料层上自下而上依次形成第一硬掩膜及光刻胶，制备隔离结构将所述半导体衬底隔离出有源区，去除部分所述隔离结构直至暴露具有偶数个凸起结构的浮栅，而后去除所述第一硬掩膜，其中，所述有源区表面自下而上依次形成有隧穿氧化层、具有偶数个凸起结构的浮栅及第一硬掩膜；

6）在所述步骤5）获得的结构表面形成阻挡氧化层及控制栅。

2.根据权利要求1所述的闪存存储单元的制备方法，其特征在于：当所述条状结构的光刻胶大于等于两个时，所述条状结构的宽度与条状结构的间距相等，且各该条状结构的宽度相等。

3.根据权利要求1或2所述的闪存存储单元的制备方法，其特征在于：所述条状结构的横截面至少包括矩形。

4.根据权利要求1或2所述的闪存存储单元的制备方法，其特征在于：所述第一深度与浮栅材料层的厚度的比值范围为0～1之间。

5.根据权利要求1或2所述的闪存存储单元的制备方法，其特征在于：各该凸起结构的宽度相等。

6.根据权利要求1或2所述的闪存存储单元的制备方法，其特征在于：所述第一硬掩膜的材料至少包括氮化硅；所述第二硬掩膜的材料至少包括氮化硅或氧化硅。

7.根据权利要求1或2所述的闪存存储单元的制备方法，其特征在于：所述阻挡氧化层为三层的叠层结构，其中，所述叠层结构的最下层和最上层为氧化硅，所述叠层结构的中间层为氮化硅。

8.根据权利要求1或2所述的闪存存储单元的制备方法，其特征在于：所述半导体衬底的材料至少包括硅、硅锗、绝缘层上硅、绝缘层上硅锗或绝缘层上锗。

9.根据权利要求1或2所述的闪存存储单元的制备方法，其特征在于：所述隔离结构为浅沟槽隔离或绝缘介质隔离。

10.一种闪存存储单元，其特征在于，所述闪存存储单元至少包括：

通过隔离结构将半导体衬底隔离出的有源区；

自下而上依次形成在有源区上的隧穿氧化层、具有偶数个凸起结构的浮栅、阻挡氧化层及控制栅。

11.根据权利要求10所述的闪存存储单元，其特征在于：所述凸起结构与浮栅总厚度的比值范围为0～1之间。

12.根据权利要求10所述的闪存存储单元，其特征在于：各该凸起结构的宽度相等。