[发明专利]一种倒装发光二极管在审
| 申请号： | 201310551139.0 | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103594583A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 张翠 | 申请（专利权）人： | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基倒装发光二极管，包括：蓝宝石衬底（1）、n型GaN层（2）、有源层（3）、p型GaN层（4），位于p型GaN层（4）上并借助隔离槽隔离的n型电极（9）和p型电极（8）。隔离槽中形成铜柱（5），n型电极（9）通过铜柱（5）与n型GaN层（2）电连接。n型电极（9）和p型电极（8）与承载基板（10）上相应的焊球和凸块电极（11）焊接。n型电极（9）和p型电极（8）面积相等且相对于隔离槽对称设置。本发明提出的发光二极管能够大幅度提高发光效率以及产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种GaN基倒装发光二极管，包括：承载基板（10）；形成于承载基板（10）上的焊球或凸块电极（11）；倒装GaN基发光二极管结构，其包括：蓝宝石衬底（1）；形成在蓝宝石衬底（1）上的n型GaN层（2）；形成在n型GaN层（2）上的有源层（3）；形成在有源层（3）上的p型GaN层（4）；形成在p型GaN层（4）上的n型电极（9）和p型电极（8）；形成在n型电极（9）和p型电极（8）之间的隔离槽；形成在隔离槽侧壁上的绝缘层（6）；形成在隔离槽中且与n型电极（9）电连接的铜柱（5）；以及使承载基板（10）上的焊球或凸块电极（11）分别与n型电极（9）和p型电极（8）电连接。
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